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PSMN034-100PS	文件：333.63 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=32A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=34.5mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
PSMN034-100PS	文件：810.71 Kbytes Page：15 Pages	N-channel 100 V 34.5 mΩ standard level MOSFET in TO220. 1.1Generaldescription StandardlevelN-channelMOSFETinTO220packagequalifiedto175C.Thisproductis designedandqualifiedforuseinawiderangeofindustrial,communicationsanddomestic equipment. 1.2Featuresandbenefits Highefficiencyduetolowswitching andconductionloss	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PSMN034-100PS	文件：256.519 Kbytes Page：15 Pages	N-channel 100 V 34.5 m廓 standard level MOSFET in TO220.	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
PSMN034-100PS	文件：949.16 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 100-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
PSMN034-100BS	文件：983.65 Kbytes Page：14 Pages	N-channel100V34.5mΩstandardlevelMOSFETinD2PAK. 1.1Generaldescription StandardlevelN-channelMOSFETinD2PAKpackagequalifiedto175C.Thisproductis designedandqualifiedforuseinawiderangeofindustrial,communicationsanddomestic equipment. 1.2Featuresandbenefits Highefficiencyduetolowswitching andconductionlos	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PSMN034-100BS	文件：239.35 Kbytes Page：14 Pages	N-channel100V34.5mstandardlevelMOSFETinD2PAK	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

详细参数

型号：
PSMN034-100PS
制造商：
NXP Semiconductors
功能描述：
MOSFETN CH100V32ATO-220AB
功能描述：
MOSFET,N CH,100V,32A,TO-220AB
功能描述：
MOSFET,N CH,100V,32A,TO-220AB; Transistor
Polarity：
N Channel; Continuous Drain Current
Id：
32A; Drain Source Voltage
Vds：
100V; On Resistance
Rds(on)：
29.3mohm; Rds(on) Test Voltage
Vgs：
10V; Threshold Voltage Vgs
Typ：
3V; No. of
Pins：
3 ;RoHS
Compliant：
Yes

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