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PSMN057-200P	文件：92.75 Kbytes Page：8 Pages	N-channel TrenchMOS transistor GENERALDESCRIPTION SiliconMAXproductsusethelatestPhilipsTrenchtechnologytoachievethelowestpossibleon-stateresistanceineachpackageateachvoltagerating. FEATURES •’Trench’technology •Verylowon-stateresistance •Fastswitching •Lowthermalresistance Applications:-	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PSMN057-200P	文件：250.06 Kbytes Page：9 Pages	Marking：PSMN057；Package：SOT78；N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FET 1.Generaldescription SiliconMAXstandardlevelN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)ina plasticpackageusingTrenchMOStechnology.Thisproductisdesignedandqualifiedforusein computing,communications,consumerandindustrialapplicationsonly. 2.Featuresandben	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
057-200	文件：1.31406 Mbytes Page：2 Pages	AUTOSTARTANDAUTOMAINSFAILURECONTROLMODULES KEYFEATURES •Alternatorfrequency&MPU speedsensinginonevariant •Largestback-liticondisplayin itsclass •Realtimeclockprovides accurateeventlogging •Fullyconfigurableviathefascia orPCusingUSB communication •Extremelyefficientpowersave mode •3phasegenera	DSEDeep Sea Electronics 深海DSE英国深海电子有限公司	DSE
PSMN057-200B	文件：272.2 Kbytes Page：10 Pages	N-channelTrenchMOSSiliconMAXstandardlevelFET 1.Generaldescription SiliconMAXstandardlevelN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)ina plasticpackageusingTrenchMOStechnology.Thisproductisdesignedandqualifiedforusein computing,communications,consumerandindustrialapplicationsonly. 2.Featuresandben	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PSMN057-200B	文件：98.06 Kbytes Page：9 Pages	N-channelTrenchMOStransistor GENERALDESCRIPTION SiliconMAXproductsusethelatestPhilipsTrenchtechnologytoachievethelowestpossibleon-stateresistanceineachpackageateachvoltagerating. FEATURES •’Trench’technology •Verylowon-stateresistance •Fastswitching •Lowthermalresistance Applications:-	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

详细参数

型号：
PSMN057-200P
功能描述：
MOSFET TRENCH-200
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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