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PBSS4350	文件：79 Kbytes Page：8 Pages	50 V low VCEsat NPN transistor DESCRIPTION NPNlowVCEsattransistorinaSOT54plasticpackage.PNPcomplement:PBSS5350S. FEATURES •Highpowerdissipation(830mW) •Ultralowcollector-emittersaturationvoltage •3Acontinuouscurrent •Highcurrentswitching •Improveddevicereliabilityduetoreducedheatgenerat	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS4350	文件：70.54 Kbytes Page：8 Pages	NPN transistor DESCRIPTION NPNlowVCEsattransistorinaSOT457(SC-74)plasticpackage.PNPcomplement:PBSS5350D. FEATURES •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Highcurrentcapability •Improveddevicereliabilityduetoreducedheatgeneration •ReplacementforSOT89/SOT223standar	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS4350D	文件：70.54 Kbytes Page：8 Pages	NPN transistor DESCRIPTION NPNlowVCEsattransistorinaSOT457(SC-74)plasticpackage.PNPcomplement:PBSS5350D. FEATURES •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Highcurrentcapability •Improveddevicereliabilityduetoreducedheatgeneration •ReplacementforSOT89/SOT223standar	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS4350D	文件：503.85 Kbytes Page：10 Pages	Marking：43；Package：SOT457；50 V low VCEsat NPN transistor FEATURES •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Highcurrentcapability •Improveddevicereliabilityduetoreducedheatgeneration •ReplacementforSOT89/SOT223standardpackagedtransistorsduetoenhancedperformance. APPLICATIONS •Supplylineswitchingcircuits •Batterymanagement	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4350PAS	文件：284.51 Kbytes Page：13 Pages	Marking：G6；Package：SOT1061D；50 V, 3 A NPN low VCEsat transistor 1.Generaldescription NPNlowVCEsatDFN2020D-3(SOT1061D)leadlesssmallSurface-MountedDevice(SMD)plastic package. PNPcomplement:PBSS5350PAS 2.Featuresandbenefits •DFN2020D-3(SOT1061D)package •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •Highcollectorcurrentcapabili	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4350PAS-Q	文件：285.73 Kbytes Page：13 Pages	Marking：G6；Package：SOT1061D；50 V, 3 A NPN low VCEsat transistor 1.Generaldescription NPNlowVCEsatDFN2020D-3(SOT1061D)leadlesssmallSurface-MountedDevice(SMD)plastic package. PNPcomplement:PBSS5350PAS-Q 2.Featuresandbenefits •DFN2020D-3(SOT1061D)package •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •Highcollectorcurrentcapabi	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4350S	文件：79 Kbytes Page：8 Pages	50 V low VCEsat NPN transistor DESCRIPTION NPNlowVCEsattransistorinaSOT54plasticpackage.PNPcomplement:PBSS5350S. FEATURES •Highpowerdissipation(830mW) •Ultralowcollector-emittersaturationvoltage •3Acontinuouscurrent •Highcurrentswitching •Improveddevicereliabilityduetoreducedheatgenerat	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS4350SPN	文件：696.38 Kbytes Page：14 Pages	50 V, 2.7 A NPN/NPN low VCEsat (BISS) transistor Features Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat HighcollectorcurrentcapabilityICandICM Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC Highefficiencyduetolessheatgeneration *SmallerrequiredPrinted-CircuitBoard(PCB)areathanforconventionaltransistors	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4350SPN	文件：730.36 Kbytes Page：19 Pages	Marking：4350SPN；Package：SO8；50 V, 2.7 A NPN/PNP low VCEsat (BISS) transistor Features Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat HighcollectorcurrentcapabilityICandICM Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC Highefficiencyduetolessheatgeneration *SmallerrequiredPrinted-CircuitBoard(PCB)areathanforconventionaltransistors	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4350SS	文件：730.36 Kbytes Page：19 Pages	50 V, 2.7 A NPN/PNP low VCEsat (BISS) transistor Features Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat HighcollectorcurrentcapabilityICandICM Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC Highefficiencyduetolessheatgeneration *SmallerrequiredPrinted-CircuitBoard(PCB)areathanforconventionaltransistors	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

详细参数

型号：
PBSS4350
功能描述：
两极晶体管 - BJT TRANS BISS TAPE-11
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市坤融电子科技有限公司	PBSS4350	恩XP	24+	SOT-223	20000	只做原厂渠道可追溯货源	询价
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