PBSS4350S分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
PBSS4350S |
| 参数属性 | PBSS4350S 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 50V 3A SC59 |
| 功能描述 | 50 V low VCEsat NPN transistor |
| 封装外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 文件大小 |
79 Kbytes |
| 页面数量 |
8 页 |
| 生产厂商 | Philips Semiconductors |
| 企业简称 |
PHI【飞利浦】 |
| 中文名称 | 荷兰皇家飞利浦 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-6-12 15:53:00 |
| 人工找货 | PBSS4350S价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
PBSS4350S规格书详情
DESCRIPTION
NPN low VCEsattransistor in a SOT54 plastic package. PNP complement: PBSS5350S.
FEATURES
• High power dissipation (830 mW)
• Ultra low collector-emitter saturation voltage
• 3 A continuous current
• High current switching
• Improved device reliability due to reduced heat generation
APPLICATIONS
• Medium power switching and muting
• Linear regulators
• DC/DC convertor
• Supply line switching circuits
• Battery management applications
• Strobe flash units
• Heavy duty battery powered equipment (motor and lamp drivers).
产品属性
- 产品编号：
PBSS4350SA_R1_00001
- 制造商：
Panjit International Inc.
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
370mV @ 300mA，3A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
300 @ 1A，2V
- 频率 - 跃迁：
100MHz
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商器件封装：
SC-59
- 描述：
TRANS NPN 50V 3A SC59
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
22+ |
SOT |
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