PBSS4350S分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

厂商型号 |
PBSS4350S |
参数属性 | PBSS4350S 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 50V 3A SC59 |
功能描述 | 50 V low VCEsat NPN transistor |
封装外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
文件大小 |
79 Kbytes |
页面数量 |
8 页 |
生产厂商 | Philips Semiconductors |
企业简称 |
PHI【飞利浦】 |
中文名称 | 荷兰皇家飞利浦 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-6-12 15:53:00 |
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PBSS4350S规格书详情
DESCRIPTION
NPN low VCEsattransistor in a SOT54 plastic package. PNP complement: PBSS5350S.
FEATURES
• High power dissipation (830 mW)
• Ultra low collector-emitter saturation voltage
• 3 A continuous current
• High current switching
• Improved device reliability due to reduced heat generation
APPLICATIONS
• Medium power switching and muting
• Linear regulators
• DC/DC convertor
• Supply line switching circuits
• Battery management applications
• Strobe flash units
• Heavy duty battery powered equipment (motor and lamp drivers).
产品属性
- 产品编号:
PBSS4350SA_R1_00001
- 制造商:
Panjit International Inc.
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型:
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
370mV @ 300mA,3A
- 电流 - 集电极截止(最大值):
100nA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
300 @ 1A,2V
- 频率 - 跃迁:
100MHz
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商器件封装:
SC-59
- 描述:
TRANS NPN 50V 3A SC59
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
22+ |
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