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PBSS4350S分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

PBSS4350S
厂商型号

PBSS4350S

参数属性

PBSS4350S 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 50V 3A SC59

功能描述

50 V low VCEsat NPN transistor

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

79 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 Philips Semiconductors
企业简称

PHI飞利浦

中文名称

荷兰皇家飞利浦

数据手册

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更新时间

2025-6-12 15:53:00

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PBSS4350S规格书详情

DESCRIPTION

NPN low VCEsattransistor in a SOT54 plastic package. PNP complement: PBSS5350S.

FEATURES

• High power dissipation (830 mW)

• Ultra low collector-emitter saturation voltage

• 3 A continuous current

• High current switching

• Improved device reliability due to reduced heat generation

APPLICATIONS

• Medium power switching and muting

• Linear regulators

• DC/DC convertor

• Supply line switching circuits

• Battery management applications

• Strobe flash units

• Heavy duty battery powered equipment (motor and lamp drivers).

产品属性

  • 产品编号:

    PBSS4350SA_R1_00001

  • 制造商:

    Panjit International Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    370mV @ 300mA,3A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    300 @ 1A,2V

  • 频率 - 跃迁:

    100MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SC-59

  • 描述:

    TRANS NPN 50V 3A SC59

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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