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PBSS4350D分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

PBSS4350D
厂商型号

PBSS4350D

参数属性

PBSS4350D 封装/外壳为SC-74,SOT-457;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 50V 3A 6TSOP

功能描述

50 V low VCEsat NPN transistor

封装外壳

SC-74,SOT-457

文件大小

316.41 Kbytes

页面数量

9

生产厂商 未知制造商
企业简称

恩XP

中文名称

未知制造商

数据手册

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更新时间

2025-6-22 11:30:00

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PBSS4350D规格书详情

DESCRIPTION

NPN low VCEsat transistor in a SOT457 (SC-74) plastic package. PNP complement: PBSS5350D.

FEATURES

• Low collector-emitter saturation voltage

• High current capability

• Improved device reliability due to reduced heat

generation

• Replacement for SOT89/SOT223 standard packaged

transistors due to enhanced performance.

APPLICATIONS

• Supply line switching circuits

• Battery management applications

• DC/DC convertor applications

• Strobe flash units

• Heavy duty battery powered equipment (motor and lamp

drivers).

产品属性

  • 产品编号:

    PBSS4350D,125

  • 制造商:

    Nexperia USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    290mV @ 200mA,2A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 2A,2V

  • 频率 - 跃迁:

    100MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SC-74,SOT-457

  • 供应商器件封装:

    6-TSOP

  • 描述:

    TRANS NPN 50V 3A 6TSOP

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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SOT-163
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