PBSS4350D分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

厂商型号 |
PBSS4350D |
参数属性 | PBSS4350D 封装/外壳为SC-74,SOT-457;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 50V 3A 6TSOP |
功能描述 | 50 V low VCEsat NPN transistor |
封装外壳 | SC-74,SOT-457 |
文件大小 |
316.41 Kbytes |
页面数量 |
9 页 |
生产厂商 | 未知制造商 |
企业简称 |
恩XP |
中文名称 | 未知制造商 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-6-23 13:00:00 |
人工找货 | PBSS4350D价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
PBSS4350D规格书详情
DESCRIPTION
NPN low VCEsat transistor in a SOT457 (SC-74) plastic package. PNP complement: PBSS5350D.
FEATURES
• Low collector-emitter saturation voltage
• High current capability
• Improved device reliability due to reduced heat
generation
• Replacement for SOT89/SOT223 standard packaged
transistors due to enhanced performance.
APPLICATIONS
• Supply line switching circuits
• Battery management applications
• DC/DC convertor applications
• Strobe flash units
• Heavy duty battery powered equipment (motor and lamp
drivers).
产品属性
- 产品编号:
PBSS4350D,125
- 制造商:
Nexperia USA Inc.
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型:
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
290mV @ 200mA,2A
- 电流 - 集电极截止(最大值):
100nA(ICBO)
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
100 @ 2A,2V
- 频率 - 跃迁:
100MHz
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
SC-74,SOT-457
- 供应商器件封装:
6-TSOP
- 描述:
TRANS NPN 50V 3A 6TSOP
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
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