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PBSS4350T-Q	文件：230.38 Kbytes Page：12 Pages	丝印：ZC；Package：SOT23；50 V; 3 A NPN low VCEsat transistor 1. General description NPN low VCEsat transistor in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. PNP complement: PBSS5350T-Q 2. Features and benefits • Low collector-emitter saturation voltage VCEsat and corresponding low RCEsat • High collector current capability 文件：230.38 Kbytes 页数：12 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PBSS4350X	文件：277.99 Kbytes Page：12 Pages	丝印：S43；Package：SOT89；50 V, 3 A NPN low VCEsat transistor 1. General description NPN low VCEsat transistor in a SOT89 plastic package. PNP complement: PBSS5350X 2. Features and benefits • SOT89 (SC-62) package • Low collector-emitter saturation voltage VCEsat • High collector current capability: IC and ICM • Higher efficiency leading to less hea 文件：277.99 Kbytes 页数：12 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PBSS4350Z	文件：226.3 Kbytes Page：12 Pages	丝印：PB4350；Package：SC-73；50 V low VCEsat NPN transistor 1. General description NPN low VCEsat transistor in a SOT223 plastic package. PNP complement: PBSS5350Z. 2. Features and benefits • Low collector-emitter saturation voltage • High collector current capability: IC and ICM • High collector current gain (hFE ) at high IC • Higher efficiency l 文件：226.3 Kbytes 页数：12 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PBSS4350Z	文件：83.83 Kbytes Page：12 Pages	50 V low VCEsat NPN transistor DESCRIPTION NPN low VCEsattransistor in a SOT223 plastic package. PNP complement: PBSS5350Z. FEATURES • Low collector-emitter saturation voltage • High collector current capability: ICand ICM • High collector current gain (hFE) at high IC • Higher efficiency leading to less heat generation 文件：83.83 Kbytes 页数：12 Pages	PHI 飞利浦	PHI
PBSS4350Z	文件：162.23 Kbytes Page：9 Pages	50 V low VCEsat NPN transistor DESCRIPTION NPN low VCEsattransistor in a SOT223 plastic package. PNP complement: PBSS5350Z. FEATURES • Low collector-emitter saturation voltage • High collector current capability: ICand ICM • High collector current gain (hFE) at high IC • Higher efficiency leading to less heat generation 文件：162.23 Kbytes 页数：9 Pages	恩XP	恩XP
PBSS4350D	文件：948.33 Kbytes Page：12 Pages	Low VCEsat (BISS) transistors 文件：948.33 Kbytes 页数：12 Pages	PHI 飞利浦	PHI
PBSS4350D_15	文件：316.41 Kbytes Page：9 Pages	50 V low VCEsat NPN transistor 文件：316.41 Kbytes 页数：9 Pages	PHI 飞利浦	PHI
PBSS4350SPN_15	文件：140.42 Kbytes Page：19 Pages	50 V, 2.7 A NPN/PNP low VCEsat (BISS) transistor 文件：140.42 Kbytes 页数：19 Pages	PHI 飞利浦	PHI
PBSS4350T	文件：948.33 Kbytes Page：12 Pages	Low VCEsat (BISS) transistors 文件：948.33 Kbytes 页数：12 Pages	PHI 飞利浦	PHI
PBSS4350T_15	文件：368.74 Kbytes Page：10 Pages	50 V; 3 A NPN low VCEsat 文件：368.74 Kbytes 页数：10 Pages	PHI 飞利浦	PHI

技术参数

Package name：
TSOP6
Size (mm)：
2.9 x 1.5 x 1
Polarity：
NPN
Ptot (mW)：
600
VCEO [max] (V)：
50
IC [max] (mA)：
3000
hFE [min]：
200
Tj [max] (°C)：
150
fT [min] (MHz)：
100
Automotive qualified：
Y

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多PBSS4350供应商更新时间2025-12-22 11:04:00

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