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PBSS4350PAS	文件：284.51 Kbytes Page：13 Pages	Marking：G6；Package：SOT1061D；50 V, 3 A NPN low VCEsat transistor 1.Generaldescription NPNlowVCEsatDFN2020D-3(SOT1061D)leadlesssmallSurface-MountedDevice(SMD)plastic package. PNPcomplement:PBSS5350PAS 2.Featuresandbenefits •DFN2020D-3(SOT1061D)package •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •Highcollectorcurrentcapabili	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4350PAS-Q	文件：285.73 Kbytes Page：13 Pages	Marking：G6；Package：SOT1061D；50 V, 3 A NPN low VCEsat transistor 1.Generaldescription NPNlowVCEsatDFN2020D-3(SOT1061D)leadlesssmallSurface-MountedDevice(SMD)plastic package. PNPcomplement:PBSS5350PAS-Q 2.Featuresandbenefits •DFN2020D-3(SOT1061D)package •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •Highcollectorcurrentcapabi	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4350S	文件：79 Kbytes Page：8 Pages	50VlowVCEsatNPNtransistor DESCRIPTION NPNlowVCEsattransistorinaSOT54plasticpackage.PNPcomplement:PBSS5350S. FEATURES •Highpowerdissipation(830mW) •Ultralowcollector-emittersaturationvoltage •3Acontinuouscurrent •Highcurrentswitching •Improveddevicereliabilityduetoreducedheatgenerat	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS4350SPN	文件：696.38 Kbytes Page：14 Pages	50V,2.7ANPN/NPNlowVCEsat(BISS)transistor Features Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat HighcollectorcurrentcapabilityICandICM Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC Highefficiencyduetolessheatgeneration *SmallerrequiredPrinted-CircuitBoard(PCB)areathanforconventionaltransistors	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4350SPN	文件：730.36 Kbytes Page：19 Pages	50V,2.7ANPN/PNPlowVCEsat(BISS)transistor Features Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat HighcollectorcurrentcapabilityICandICM Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC Highefficiencyduetolessheatgeneration *SmallerrequiredPrinted-CircuitBoard(PCB)areathanforconventionaltransistors	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4350SS	文件：730.36 Kbytes Page：19 Pages	50V,2.7ANPN/PNPlowVCEsat(BISS)transistor Features Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat HighcollectorcurrentcapabilityICandICM Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC Highefficiencyduetolessheatgeneration *SmallerrequiredPrinted-CircuitBoard(PCB)areathanforconventionaltransistors	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4350SS	文件：696.38 Kbytes Page：14 Pages	50V,2.7ANPN/NPNlowVCEsat(BISS)transistor Features Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat HighcollectorcurrentcapabilityICandICM Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC Highefficiencyduetolessheatgeneration *SmallerrequiredPrinted-CircuitBoard(PCB)areathanforconventionaltransistors	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4350T	文件：84.47 Kbytes Page：10 Pages	50V;3ANPNlowVCEsat(BISS)transistor DESCRIPTION NPNlowVCEsattransistorinaSOT23plasticpackage.PNPcomplement:PBSS5350T. FEATURES •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsatandcorrespondinglowRCEsat •Highcollectorcurrentcapability •Highcollectorcurrentgain •Improvedefficiencyduetoreducedheatgene	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS4350T	文件：948.33 Kbytes Page：12 Pages	LowVCEsat(BISS)transistors	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS4350T	文件：950.45 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNtransistorinaSOT-23PlasticPackage Descriptions SiliconNPNtransistorinaSOT-23PlasticPackage. Features LowVCE(sat),highcurrent. Applications Generalpurposeswitchingandmuting,LCDback-lighting,supplylineswitchingcircuits.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN

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深圳市卓越微芯电子有限公司	PBSS4350PN	PHI	2020+	SOP8	218	百分百原装正品真实公司现货库存本公司只做原装可	询价
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