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BZD27C110P	文件：742.14 Kbytes Page：4 Pages	Marking：G6；Package：SOD-123FL；Voltage Regulator Diodes Features ◇Silliconplanarzenerdiodes. ◇Lowprofilesurface-mountpackage. ◇Zenerandsurgecurrentspecification ◇Lowleakagecurrent ◇Excellentstability ◇Hightemperaturesolderingguaranteed:265℃/10seconds,atterminals	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
BZD27C110P	文件：2.05751 Mbytes Page：4 Pages	Marking：G6；Voltage Regulator Diodes Features ◇Silliconplanarzenerdiodes. ◇Lowprofilesurface-mountpackage. ◇Zenerandsurgecurrentspecification ◇Lowleakagecurrent ◇Excellentstability ◇Hightemperaturesolderingguaranteed:265℃/10seconds,atterminals	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
BZT52H-A7V5	文件：333.71 Kbytes Page：14 Pages	Marking：G6；Package：SOD123F；Voltage regulator diodes 1.Generaldescription General-purposeZenerdiodesinanSOD123FsmallandflatleadSurface-MountedDevice(SMD) plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •Totalpowerdissipation:≤830mW •Threetoleranceseries:±1,±2andapproximately±5 •Wideworkingvoltagerange:nominal2.	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BZT52H-A7V5-Q	文件：314.74 Kbytes Page：14 Pages	Marking：G6；Package：SOD123F；Voltage regulator diodes 1.Generaldescription General-purposeZenerdiodesinanSOD123FsmallandflatleadSurface-MountedDevice(SMD) plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •Totalpowerdissipation:≤830mW •Threetoleranceseries:±1,±2andapproximately±5 •Wideworkingvoltagerange:nominal2.	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
EMG6	文件：434.32 Kbytes Page：7 Pages	Marking：G6；Package：SOT-553；NPN 100mA 50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) Features 1)TwoDTC114TchipsinaEMTorUMTorSMTpackage.	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
EMG6	文件：72.01 Kbytes Page：2 Pages	Marking：G6；Package：SOT-553；General purpose (dual digital transistors) Features 1)TwoDTC114TchipsinaEMTorUMTorSMTpackage.	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
EMG6	文件：71.91 Kbytes Page：3 Pages	Marking：G6；Package：SOT-553；General purpose (dual digital transistors) Features 1)TwoDTC114TchipsinaEMTorUMTorSMTpackage.	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
FMG6A	文件：71.91 Kbytes Page：3 Pages	Marking：G6；Package：SOT-753；General purpose (dual digital transistors) Features 1)TwoDTC114TchipsinaEMTorUMTorSMTpackage.	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
FMG6A	文件：72.01 Kbytes Page：2 Pages	Marking：G6；Package：SOT-753；General purpose (dual digital transistors) Features 1)TwoDTC114TchipsinaEMTorUMTorSMTpackage.	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
FMG6A	文件：434.32 Kbytes Page：7 Pages	Marking：G6；Package：SOT-753；NPN 100mA 50V Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) Features 1)TwoDTC114TchipsinaEMTorUMTorSMTpackage.	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM

详细参数

型号：
G6
功能描述：
气体放电管 - GDT /气体等离子体避雷器 2 POLE 230V
RoHS：
否
制造商：
Bourns
直流击穿电压（标称）：
4500 V
电极数量：
2
系列：
SA2
端接类型：
Axial 故障安全保护
封装：
Reel

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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