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G60H65DFB	文件：556.1 Kbytes Page：15 Pages	型号：STGW60H65DFB-4；Package：TO247-4；Trench gate field-stop 650 V, 60 A high speed HB series IGBT Features •Maximumjunctiontemperature:TJ=175°C •Excellentswitchingperformancethankstotheextradrivingkelvinpin •LowVCE(sat)=1.6V(typ.)@IC=60A •Minimizedtailcurrent •Tightparameterdistribution •Safeparalleling •Lowthermalresistance •Veryfastsoftrecov	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
G60H65DFB	文件：689.96 Kbytes Page：21 Pages	型号：STGWA60H65DFB；Package：TO-247；Trench gate field-stop 650 V, 60 A high speed HB series IGBT Description ThesedevicesareIGBTsdevelopedusinganadvancedproprietarytrenchgatefieldstop structure.ThesedevicesarepartofthenewHBseriesofIGBTs,which representanoptimumcompromisebetweenconductionandswitchinglossto maximizetheefficiencyofanyfrequencyconverter.	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

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型号：STGW60H65DFB-4；Package：TO247-4；Trench gate field-stop 650 V, 60 A high speed HB series IGBT

Features •Maximumjunctiontemperature:TJ=175°C •Excellentswitchingperformancethankstotheextradrivingkelvinpin •LowVCE(sat)=1.6V(typ.)@IC=60A •Minimizedtailcurrent •Tightparameterdistribution •Safeparalleling •Lowthermalresistance •Veryfastsoftrecov

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意法半导体意法半导体集团

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型号：STGWA60H65DFB；Package：TO-247；Trench gate field-stop 650 V, 60 A high speed HB series IGBT

Description ThesedevicesareIGBTsdevelopedusinganadvancedproprietarytrenchgatefieldstop structure.ThesedevicesarepartofthenewHBseriesofIGBTs,which representanoptimumcompromisebetweenconductionandswitchinglossto maximizetheefficiencyofanyfrequencyconverter.

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