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PBSS4350SPN	文件：100.84 Kbytes Page：14 Pages	50 V, 2.7 A PNP/PNP low VCEsat (BISS) transistor General description PNP/PNP double low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a medium power Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. Features ■ Low collector-emitter saturation voltage VCEsat ■ High collector current capability IC and ICM ■ High collector current gain 文件：100.84 Kbytes 页数：14 Pages	恩XP	恩XP
PBSS4350SPN	文件：696.38 Kbytes Page：14 Pages	50 V, 2.7 A NPN/NPN low VCEsat (BISS) transistor Features * Low collector-emitter saturation voltage VCEsat * High collector current capability IC and ICM * High collector current gain (hFE) at high IC * High efficiency due to less heat generation * Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors 文件：696.38 Kbytes 页数：14 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PBSS4350SPN	文件：730.36 Kbytes Page：19 Pages	丝印：4350SPN；Package：SO8；50 V, 2.7 A NPN/PNP low VCEsat (BISS) transistor Features * Low collector-emitter saturation voltage VCEsat * High collector current capability IC and ICM * High collector current gain (hFE) at high IC * High efficiency due to less heat generation * Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors 文件：730.36 Kbytes 页数：19 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
PBSS4350SPN_15	文件：140.42 Kbytes Page：19 Pages	50 V, 2.7 A NPN/PNP low VCEsat (BISS) transistor 文件：140.42 Kbytes 页数：19 Pages	PHI PHI	PHI
PBSS4350SPN	文件：300 bytes Page：1 Pages	PBSS4350SPN - 50 V, 2.7 A NPN/PNP low VCEsat (BISS) transistor 50 V, 2.7 A NPN/PNP low VCEsat (BISS) transistor - NPN/PNP double low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a medium power Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. PNP/PNP complement: PBSS5350SS ·Low collector-emitter saturation voltage VCEsat\n·High collector current capability IC and ICM\n·High collector current gain (hFE) at high IC\n·High efficiency due to less heat generation\n·Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors\n·AEC-Q101 qualified;	Nexperia 安世	Nexperia

技术参数

Package version：
SOT96-1
Package name：
SO8
Size (mm)：
4.9 x 3.9 x 1.75
Product status：
Production
Polarity：
NPN/PNP
number of transistors：
2
P_tot [max] (mW)：
1200
V_CEO [max] (V)：
50
I_C [max] (A)：
2.7
V_CEsat [max] (NPN) (mV)：
340
V_CEsat [max] (PNP) (mV)：
-370
R_CEsat@I_C [max]; I_C/I_B =10 [typ] (mΩ)：
140.00000000000001
h_FE [min]：
300

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