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PBSS4350SPN中文资料安世数据手册PDF规格书

PBSS4350SPN
厂商型号

PBSS4350SPN

功能描述

50 V, 2.7 A NPN/PNP low VCEsat (BISS) transistor

丝印标识

4350SPN

封装外壳

SO8

文件大小

730.36 Kbytes

页面数量

19

生产厂商 Nexperia B.V. All rights reserved
企业简称

NEXPERIA安世

中文名称

安世半导体(中国)有限公司官网

原厂标识
NEXPERIA
数据手册

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更新时间

2025-8-3 15:08:00

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PBSS4350SPN规格书详情

特性 Features

* Low collector-emitter saturation voltage VCEsat

* High collector current capability IC and ICM

* High collector current gain (hFE) at high IC

* High efficiency due to less heat generation

* Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors

产品属性

  • 型号:

    PBSS4350SPN

  • 功能描述:

    两极晶体管 - BJT TRANS BISS TAPE-7

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT:

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    PowerFLAT 2 x 2

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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