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PBSS4350SPN中文资料PDF规格书
PBSS4350SPN规格书详情
Features
* Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
* High collector current capability IC and ICM
* High collector current gain (hFE) at high IC
* High efficiency due to less heat generation
* Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors
产品属性
- 型号:
PBSS4350SPN
- 功能描述:
两极晶体管 - BJT TRANS BISS TAPE-7
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
PNP 集电极—基极电压
- VCBO:
集电极—发射极最大电压
- VCEO:
- 40 V 发射极 - 基极电压
- VEBO:
- 6 V
- 增益带宽产品fT:
直流集电极/Base Gain hfe
- Min:
100 A
- 安装风格:
SMD/SMT
- 封装/箱体:
PowerFLAT 2 x 2
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
PhilipsSemiconducto |
22+ |
NA |
30000 |
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询价 | ||
Nexperia(安世) |
23+ |
SO8 |
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NXP(恩智浦) |
23+ |
NA/ |
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PHILIPS |
23+ |
SOP8 |
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原装 |
24+ |
标准 |
51785 |
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NXP(恩智浦) |
22+ |
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12000 |
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nxp/NXP Semiconductors/恩智浦/ |
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SOP8 |
19 |
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NEXPERIA |
23+ |
SO850V2.7 |
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Nexperia |
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NEXPERIA/安世 |
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SOT96 |
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