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PBSS2515	文件：69.97 Kbytes Page：12 Pages	15 V low VCEsat NPN double transistor DESCRIPTION NPNlowVCEsatdoubletransistorinaSOT666plasticpackage. PNPcomplement:PBSS3515VS. FEATURES •300mWtotalpowerdissipation •Verysmall1.6x1.2mmultrathinpackage •Excellentcoplanarityduetostraightleads •Lowcollector-emittersaturationvoltage •High	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS2515E	文件：242.93 Kbytes Page：13 Pages	Marking：1Q；Package：SC-75；15 V, 0.5 A NPN low VCEsat (BISS) transistor Features Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat HighcollectorcurrentcapabilityICandICM Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC Highefficiencyduetolessheatgeneration *SmallerrequiredPrinted-CircuitBoard(PCB)areathanforconventionaltransistors	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS2515F	文件：66.92 Kbytes Page：8 Pages	15 V low VCEsat NPN transistor DESCRIPTION NPNlowVCEsattransistorinaSC-89(SOT490)plasticpackage. PNPcomplement:PBSS3515F. FEATURES •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Highcurrentcapabilities •Improvedthermalbehaviourduetoflatleads. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandmuting •Lowf	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS2515M	文件：355.63 Kbytes Page：10 Pages	Marking：S2；Package：SOT883；15 V, 0.5 A NPN low VCEsat (BISS) transistor FEATURES •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM •Highefficiencyleadingtoreducedheatgeneration •Reducedprinted-circuitboardrequirements. APPLICATIONS •Powermanagement: –DC-DCconverter –Supplylineswitching –Batterycharg	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS2515VPN	文件：387.31 Kbytes Page：12 Pages	Marking：N8；Package：SOT666；15 V low VCE(sat) NPN/PNP transistor FEATURES •300mWtotalpowerdissipation •Verysmall1.6×1.2mmultrathinpackage •Excellentcoplanarityduetostraightleads •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Highcurrentcapability •Improvedthermalbehaviourduetoflatlead •ReplacestwoSC75/SC89packagedlowVCEsattrans	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS2515VS	文件：69.97 Kbytes Page：12 Pages	15 V low VCEsat NPN double transistor DESCRIPTION NPNlowVCEsatdoubletransistorinaSOT666plasticpackage. PNPcomplement:PBSS3515VS. FEATURES •300mWtotalpowerdissipation •Verysmall1.6x1.2mmultrathinpackage •Excellentcoplanarityduetostraightleads •Lowcollector-emittersaturationvoltage •High	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS2515VS	文件：201.84 Kbytes Page：9 Pages	Marking：N9；Package：SOT666；15 V low VCEsat NPN double transistor 1.Generaldescription NPNlowVCEsatdoubletransistorinaSOT666ultrasmallandflatleadSurface-MountedDevice (SMD)plasticpackage. PNPcomplement:PBSS3515VS 2.Featuresandbenefits •300mWtotalpowerdissipation •Verysmall1.6x1.2mmultrathinpackage •Excellentcoplana	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS2515YPN	文件：99.38 Kbytes Page：11 Pages	15 V low VCE(sat) NPN/PNP transistor DESCRIPTION NPN/PNPlowVCEsattransistorpairinaSC-88plasticpackage. FEATURES •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Highcurrentcapability •ReplacestwoSC-70packagedlowVCEsattransistorson samePCBarea •ReducesrequiredPCBarea •Reducedpickandplacecosts. APP	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS2515YPN	文件：266.51 Kbytes Page：11 Pages	Marking：N8；Package：TSSOP6；15 V low VCEsat NPN/PNP transistor 1.Generaldescription NPN/PNPlowVCEsattransistorpairinaSOT363(SC-88)verysmallSurface-MountedDevice (SMD)plasticpackage.. 2.Featuresandbenefits •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Highcurrentcapability •ReplacestwoSC-70packagedlowVCEsattransistorsonsam	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS2515YPN-Q	文件：243.94 Kbytes Page：11 Pages	Marking：N8；Package：TSSOP6；15 V low VCEsat NPN/PNP transistor 1.Generaldescription NPN/PNPlowVCEsattransistorpairinaSOT363(SC-88)verysmallSurface-MountedDevice (SMD)plasticpackage.. 2.Featuresandbenefits •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Highcurrentcapability •ReplacestwoSC-70packagedlowVCEsattransistorsonsam	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

详细参数

型号：
PBSS2515
功能描述：
两极晶体管 - BJT NPN 15V .5A LOW SAT
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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