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PBSS2515M	文件：151.01 Kbytes Page：9 Pages	15 V, 0.5 A NPN low VCEsat (BISS) transistor DESCRIPTION LowVCEsatNPNtransistorinaSOT883leadlessultrasmallplasticpackage. PNPcomplement:PBSS3515M. FEATURES •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM •Highefficiencyleadingtoreducedheatgeneration •Reducedprinted	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
PBSS2515M	文件：355.63 Kbytes Page：10 Pages	Marking：S2；Package：SOT883；15 V, 0.5 A NPN low VCEsat (BISS) transistor FEATURES •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM •Highefficiencyleadingtoreducedheatgeneration •Reducedprinted-circuitboardrequirements. APPLICATIONS •Powermanagement: –DC-DCconverter –Supplylineswitching –Batterycharg	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS2515MB	文件：1.14939 Mbytes Page：12 Pages	Marking：PBSS2515MB；Package：SOT883B；15 V, 0.5 A NPN low VCEsat (BISS) transistor	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS2515M,315	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SC-101，SOT-883；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 15V 0.5A SOT883	Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc.	Nexperia USA Inc.
PBSS2515MB,315	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：3-XFDFN；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 15V 0.5A DFN1006B-3	Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc.	Nexperia USA Inc.
PBSS2515VPN	文件：174.17 Kbytes Page：11 Pages	15VlowVCE(sat)NPN/PNPtransistor	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
PBSS2515VPN	文件：387.31 Kbytes Page：12 Pages	15VlowVCE(sat)NPN/PNPtransistor FEATURES •300mWtotalpowerdissipation •Verysmall1.6×1.2mmultrathinpackage •Excellentcoplanarityduetostraightleads •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Highcurrentcapability •Improvedthermalbehaviourduetoflatlead •ReplacestwoSC75/SC89packagedlowVCEsattrans	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS2515VS	文件：149.1 Kbytes Page：9 Pages	15VlowVCE(sat)NPNdoubletransistor DESCRIPTION NPNlowVCEsatdoubletransistorinaSOT666plasticpackage. PNPcomplement:PBSS3515VS. FEATURES •300mWtotalpowerdissipation •Verysmall1.6×1.2mmultrathinpackage •Excellentcoplanarityduetostraightleads •Lowcollector-emittersaturationvoltage •High	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
PBSS2515VS	文件：69.97 Kbytes Page：12 Pages	15VlowVCEsatNPNdoubletransistor DESCRIPTION NPNlowVCEsatdoubletransistorinaSOT666plasticpackage. PNPcomplement:PBSS3515VS. FEATURES •300mWtotalpowerdissipation •Verysmall1.6x1.2mmultrathinpackage •Excellentcoplanarityduetostraightleads •Lowcollector-emittersaturationvoltage •High	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS2515VS	文件：201.84 Kbytes Page：9 Pages	15VlowVCEsatNPNdoubletransistor 1.Generaldescription NPNlowVCEsatdoubletransistorinaSOT666ultrasmallandflatleadSurface-MountedDevice (SMD)plasticpackage. PNPcomplement:PBSS3515VS 2.Featuresandbenefits •300mWtotalpowerdissipation •Verysmall1.6x1.2mmultrathinpackage •Excellentcoplana	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

详细参数

型号：
PBSS2515M
制造商：
NXP Semiconductors
功能描述：
NPN Transistor 0.5A SOT883,PBSS2515M

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更多PBSS2515M供应商更新时间2025-5-24 23:00:00

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