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PBSS2515MB中文资料15 V, 0.5 A NPN low VCEsat (BISS) transistor数据手册Nexperia规格书
| 厂商型号 |
PBSS2515MB |
| 参数属性 | PBSS2515MB 封装/外壳为3-XFDFN；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 15V 0.5A DFN1006B-3 |
| 功能描述 | 15 V, 0.5 A NPN low VCEsat (BISS) transistor |
| 封装外壳 | 3-XFDFN |
| 制造商 | Nexperia Nexperia B.V. All rights reserved |
| 中文名称 | 安世 安世半导体(中国)有限公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-24 11:31:00 |
| 人工找货 | PBSS2515MB价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
PBSS2515MB规格书详情
描述 Description
NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a leadless ultra small DFN1006B-3 (SOT883B) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.
PNP complement: PBSS3515MB.
特性 Features
• Leadless ultra small SMD plastic package
• Low package height of 0.37 mm
• Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
• High collector current capability IC and ICM
• High efficiency due to less heat generation
• AEC-Q101 qualified
• Reduced Printed-Circuit Board (PCB) requirements
应用 Application
• DC-to-DC conversion
• Supply line switching
• Battery charger
• LCD backlighting
• Driver in low supply voltage applications (e.g. lamps and LEDs)
技术参数
- 制造商编号
：PBSS2515MB
- 生产厂家
：Nexperia
- Package name
：DFN1006B-3
- Size (mm)
：1 x 0.6 x 0.37
- Polarity
：NPN
- Ptot (mW)
：250
- VCEO [max] (V)
：15
- IC [max] (mA)
：500
- hFE [min]
：200
- Tj [max] (°C)
：150
- fT [min] (MHz)
：250
- Automotive qualified
：Y
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
24+ |
SOT-363 |
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NEXPERIA |
24+ |
DFN |
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恩XP |
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恩XP |
23+ |
LQFP48 |
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NEXPERIA/安世 |
22+ |
DFN1006B-3 |
300000 |
询价 |
