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PBSS2515E中文资料15 V, 0.5 A NPN low VCEsat (BISS) transistor数据手册Nexperia规格书

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厂商型号

PBSS2515E

功能描述

15 V, 0.5 A NPN low VCEsat (BISS) transistor

制造商

Nexperia Nexperia B.V. All rights reserved

中文名称

安世 安世半导体(中国)有限公司

数据手册

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更新时间

2025-9-24 17:02:00

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PBSS2515E规格书详情

描述 Description

NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in an ultra small SOT416 (SC-75) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.
PNP complement: PBSS3515E.

技术参数

  • 型号:

    PBSS2515E

  • 功能描述:

    两极晶体管 - BJT NPN 15V .5A LOW SAT

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT:

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    PowerFLAT 2 x 2

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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