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PBSS2515F	文件：66.92 Kbytes Page：8 Pages	15 V low VCEsat NPN transistor DESCRIPTION NPNlowVCEsattransistorinaSC-89(SOT490)plasticpackage. PNPcomplement:PBSS3515F. FEATURES •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Highcurrentcapabilities •Improvedthermalbehaviourduetoflatleads. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandmuting •Lowf	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS2515M	文件：355.63 Kbytes Page：10 Pages	15V,0.5ANPNlowVCEsat(BISS)transistor FEATURES •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM •Highefficiencyleadingtoreducedheatgeneration •Reducedprinted-circuitboardrequirements. APPLICATIONS •Powermanagement: –DC-DCconverter –Supplylineswitching –Batterycharg	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS2515MB	文件：1.14939 Mbytes Page：12 Pages	15V,0.5ANPNlowVCEsat(BISS)transistor	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS2515VPN	文件：387.31 Kbytes Page：12 Pages	15VlowVCE(sat)NPN/PNPtransistor FEATURES •300mWtotalpowerdissipation •Verysmall1.6×1.2mmultrathinpackage •Excellentcoplanarityduetostraightleads •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Highcurrentcapability •Improvedthermalbehaviourduetoflatlead •ReplacestwoSC75/SC89packagedlowVCEsattrans	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS2515VS	文件：69.97 Kbytes Page：12 Pages	15VlowVCEsatNPNdoubletransistor DESCRIPTION NPNlowVCEsatdoubletransistorinaSOT666plasticpackage. PNPcomplement:PBSS3515VS. FEATURES •300mWtotalpowerdissipation •Verysmall1.6x1.2mmultrathinpackage •Excellentcoplanarityduetostraightleads •Lowcollector-emittersaturationvoltage •High	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS2515VS	文件：201.84 Kbytes Page：9 Pages	15VlowVCEsatNPNdoubletransistor 1.Generaldescription NPNlowVCEsatdoubletransistorinaSOT666ultrasmallandflatleadSurface-MountedDevice (SMD)plasticpackage. PNPcomplement:PBSS3515VS 2.Featuresandbenefits •300mWtotalpowerdissipation •Verysmall1.6x1.2mmultrathinpackage •Excellentcoplana	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS2515YPN	文件：99.38 Kbytes Page：11 Pages	15VlowVCE(sat)NPN/PNPtransistor DESCRIPTION NPN/PNPlowVCEsattransistorpairinaSC-88plasticpackage. FEATURES •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Highcurrentcapability •ReplacestwoSC-70packagedlowVCEsattransistorson samePCBarea •ReducesrequiredPCBarea •Reducedpickandplacecosts. APP	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS2515YPN	文件：266.51 Kbytes Page：11 Pages	15VlowVCEsatNPN/PNPtransistor 1.Generaldescription NPN/PNPlowVCEsattransistorpairinaSOT363(SC-88)verysmallSurface-MountedDevice (SMD)plasticpackage.. 2.Featuresandbenefits •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Highcurrentcapability •ReplacestwoSC-70packagedlowVCEsattransistorsonsam	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS2515YPN-Q	文件：243.94 Kbytes Page：11 Pages	15VlowVCEsatNPN/PNPtransistor 1.Generaldescription NPN/PNPlowVCEsattransistorpairinaSOT363(SC-88)verysmallSurface-MountedDevice (SMD)plasticpackage.. 2.Featuresandbenefits •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Highcurrentcapability •ReplacestwoSC-70packagedlowVCEsattransistorsonsam	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PD-2515	文件：421.9 Kbytes Page：2 Pages	25WDualOutputSwitchingPowerSupply	MEANWELLMean Well Enterprises Co., Ltd. 明纬电子明纬（广州）电子有限公司	MEANWELL

详细参数

型号：
PBSS2515F
功能描述：
两极晶体管 - BJT TRANS BISS TAPE-7
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市金华微盛电子有限公司	PBSS2515F	PHI	19+	SOT523	18000		询价
深圳市一线半导体有限公司	PBSS2515F	恩XP	24+	SOT-523	29050	新进库存/原装	询价
深圳市昌和盛利电子有限公司	PBSS2515F	PHI	23+	SOT423	12300		询价
深圳兆威电子有限公司	PBSS2515F	NEXPERIA	23+	SOT-523	63000	原装正品现货	询价
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深圳市威雅利发展有限公司	PBSS2515F	PHI	03+02+	0603-3	2895	一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力	询价
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深圳市科翼源电子有限公司	PBSS2515F	PHI	23+	SOT-523	16361	原厂原装正品	询价

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