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PBSS3515M	文件：148.99 Kbytes Page：9 Pages	15 V, 0.5 A PNP low VCEsat (BISS) transistor DESCRIPTION Low VCEsat PNP transistor in a SOT883 leadless ultra small plastic package. NPN complement: PBSS2515M. FEATURES • Low collector-emitter saturation voltage VCEsat • High collector current capability IC and ICM • High efficiency leading to reduced heat generation • Reduced printed 文件：148.99 Kbytes 页数：9 Pages	恩XP	恩XP
PBSS3515M	文件：353.04 Kbytes Page：10 Pages	丝印：DB；Package：SOT883；15 V, 0.5 A PNP low VCEsat (BISS) transistor FEATURES •Low collector-emitter saturation voltage VCEsat •High collector current capability IC and ICM •High efficiency leading to reduced heat generation •Reduced printed-circuit board requirements. APPLICATIONS •Power management: –DC-DC converter –Supply line switching –Battery charg 文件：353.04 Kbytes 页数：10 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS3515MB	文件：1.09867 Mbytes Page：12 Pages	丝印：PBSS3515MB；Package：SOT883B；15 V, 0.5 A PNP low VCEsat (BISS) transistor 文件：1.09867 Mbytes 页数：12 Pages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS3515M	文件：300 bytes Page：1 Pages	15 V, 0.5 A PNP low VCEsat (BISS) transistor Low VCEsat PNP transistor in a SOT883 leadless ultra small plastic package.\n NPN complement: PBSS2515M. • Low collector-emitter saturation voltage VCEsat\n• High collector current capability IC and ICM\n• High efficiency leading to reduced heat generation\n• Reduced printed-circuit board requirements.\n• AEC-Q101 qualified;	Nexperia 安世	Nexperia
PBSS3515M	文件：300 bytes Page：1 Pages	15 V, 0.5 A PNP low VCEsat (BISS) transistor	恩XP 恩智浦	恩XP
PBSS3515MB	文件：300 bytes Page：1 Pages	15 V, 0.5 A PNP low VCEsat (BISS) transistor PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a leadless ultra small SOT883B Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. NPN complement: PBSS2515MB. • Leadless ultra small SMD plastic package\n• Low package height of 0.37 mm\n• Low collector-emitter saturation voltage VCEsat\n• High collector current capability IC and ICM\n• High efficiency due to less heat generation\n• AEC-Q101 qualified\n• Reduced Printed-Circuit Board (PCB) requirements;	Nexperia 安世	Nexperia
PBSS3515M,315	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SC-101，SOT-883；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 15V 0.5A SOT883	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS3515MB,315	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：3-XFDFN；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 15V 0.5A DFN1006B-3	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

技术参数

Package name：
DFN1006-3
Size (mm)：
1 x 0.6 x 0.48
Polarity：
PNP
Ptot (mW)：
250
VCEO [max] (V)：
-15
IC [max] (mA)：
-500
hFE [min]：
200
Tj [max] (°C)：
150
fT [min] (MHz)：
100

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