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PBSS3515M分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

PBSS3515M
厂商型号

PBSS3515M

参数属性

PBSS3515M 封装/外壳为3-XFDFN;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 15V 0.5A DFN1006B-3

功能描述

15 V, 0.5 A PNP low VCEsat (BISS) transistor

丝印标识

DB

封装外壳

SOT883 / 3-XFDFN

文件大小

353.04 Kbytes

页面数量

10

生产厂商 Nexperia B.V. All rights reserved
企业简称

NEXPERIA安世

中文名称

安世半导体(中国)有限公司官网

原厂标识
NEXPERIA
数据手册

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更新时间

2025-8-3 21:23:00

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PBSS3515M规格书详情

FEATURES

•Low collector-emitter saturation voltage VCEsat

•High collector current capability IC and ICM

•High efficiency leading to reduced heat generation

•Reduced printed-circuit board requirements.

APPLICATIONS

•Power management:

–DC-DC converter

–Supply line switching

–Battery charger

–LCD backlighting.

•Peripheral driver:

–Driver in low supply voltage applications (e.g. lamps and LEDs).

–Inductive load drivers (e.g. relays, buzzers and motors).

DESCRIPTION

Low VCEsat PNP transistor in a SOT883 leadless ultra small plastic package.

NPN complement: PBSS2515M.

产品属性

  • 产品编号:

    PBSS3515MB,315

  • 制造商:

    Nexperia USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    25mV @ 500µA,10mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    200 @ 10mA,2V

  • 频率 - 跃迁:

    280MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    3-XFDFN

  • 供应商器件封装:

    DFN1006B-3

  • 描述:

    TRANS PNP 15V 0.5A DFN1006B-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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