PBSS305NZ分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
PBSS305NZ |
| 参数属性 | PBSS305NZ 封装/外壳为TO-261-4，TO-261AA；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 80V 5.1A SOT223 |
| 功能描述 | 80 V, 5.1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor |
| 丝印标识 | |
| 封装外壳 | SC-73 / TO-261-4，TO-261AA |
| 文件大小 |
308.01 Kbytes |
| 页面数量 |
15 页 |
| 生产厂商 | NEXPERIA |
| 中文名称 | 安世 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2026-10-4 17:35:00 |
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PBSS305NZ规格书详情
特性 Features
* Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
* High collector current capability IC and ICM
* High collector current gain (hFE) at high IC
* High efficiency due to less heat generation
* Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors
产品属性
- 产品编号：
PBSS305NZ,135
- 制造商：
Nexperia USA Inc.
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
270mV @ 255mA，5.1A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
180 @ 2A，2V
- 频率 - 跃迁：
110MHz
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-261-4，TO-261AA
- 供应商器件封装：
SOT-223
- 描述：
TRANS NPN 80V 5.1A SOT223
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
26+23+ |
68783 |
绝对原装正品现货 全新深圳原装进口现货 |
询价 | |||
NEXPERIA/安世 |
25+ |
SOT-223 |
880000 |
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Nexperia/安世 |
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SOT-223 |
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恩XP |
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15000 |
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SOT-223 |
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Nexperia/安世 |
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NEXPERIA/安世 |
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SOT-223 |
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原装正品 |
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恩XP |
24+ |
SOT-223TO-261 |
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Nexperi |
24+ |
SOT-223 |
80000 |
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