PBSS304PZ分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
PBSS304PZ |
| 参数属性 | PBSS304PZ 封装/外壳为TO-261-4，TO-261AA；包装为剪切带（CT）带盒（TB）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP 60V 4.5A SOT223 |
| 功能描述 | 60 V, 4.5 A PNP low VCEsat (BISS) transistor |
| 丝印标识 | |
| 封装外壳 | SC-73 / TO-261-4，TO-261AA |
| 文件大小 |
306.77 Kbytes |
| 页面数量 |
15 页 |
| 生产厂商 | Nexperia B.V. All rights reserved |
| 企业简称 |
NEXPERIA【安世】 |
| 中文名称 | 安世半导体(中国)有限公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-3 8:10:00 |
| 人工找货 | PBSS304PZ价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
PBSS304PZ规格书详情
特性 Features
* Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
* High collector current capability IC and ICM
* High collector current gain (hFE) at high IC
* High efficiency due to less heat generation
* Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors
产品属性
- 产品编号：
PBSS304PZ,135
- 制造商：
Nexperia USA Inc.
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
剪切带（CT）带盒（TB）
- 晶体管类型：
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
375mV @ 225mA，4.5A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
150 @ 2A，2V
- 频率 - 跃迁：
130MHz
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-261-4，TO-261AA
- 供应商器件封装：
SOT-223
- 描述：
TRANS PNP 60V 4.5A SOT223
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEXPERIA/安世 |
25+ |
SOT223 |
860000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
恩XP |
2023+ |
TO-223 |
8800 |
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询价 | ||
恩XP |
24+ |
标准封装 |
10748 |
全新原装正品/价格优惠/质量保障 |
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恩XP |
10+ |
TO-223 |
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恩XP |
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SOT-223 |
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NEXPERIA/安世 |
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恩XP |
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