PBSS306PZ中文资料PDF规格书
| 厂商型号 |
PBSS306PZ |
| 参数属性 | PBSS306PZ 封装/外壳为TO-261-4，TO-261AA；包装为散装；类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个；产品描述：TRANS PNP 100V 4.1A SOT223 |
| 功能描述 | 100 V, 4.1 A PNP low VCEsat (BISS) transistor |
| 文件大小 |
122.63 Kbytes |
| 页面数量 |
14 页 |
| 生产厂商 | ROYAL PHILIPS |
| 企业简称 |
Philips【飞利浦】 |
| 中文名称 | 荷兰皇家飞利浦官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-5-30 15:33:00 |
PBSS306PZ规格书详情
General description
PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT223 (SC-73) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.
NPN complement: PBSS306NZ.
Features
■ Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
■ High collector current capability IC and ICM
■ High collector current gain (hFE) at high IC
■ High efficiency due to less heat generation
■ Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors
Applications
■ High-voltage DC-to-DC conversion
■ High-voltage MOSFET gate driving
■ High-voltage motor control
■ High-voltage power switches (e.g. motors, fans)
■ Automotive applications
产品属性
- 产品编号：
PBSS306PZ,135
- 制造商：
Nexperia USA Inc.
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
散装
- 晶体管类型：
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
325mV @ 410mA，4.1A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 2A，2V
- 频率 - 跃迁：
100MHz
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-261-4，TO-261AA
- 供应商器件封装：
SOT-223
- 描述：
TRANS PNP 100V 4.1A SOT223
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEXPERIA/安世 |
2022 |
SOT223 |
80000 |
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询 |
询价 | ||
NXP/恩智浦 |
24+ |
SOT223 |
860000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
NEXPERIA |
24+ |
NA |
39500 |
进口原装现货 支持实单价优 |
询价 | ||
NXP |
2017+ |
SOT223 |
6528 |
只做原装正品假一赔十! |
询价 | ||
NXP-恩智浦 |
24+25+/26+27+ |
SOT-223 |
78800 |
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
询价 | ||
NEXPERIA |
新批次 |
NA |
4326 |
询价 | |||
NEXPERIA |
23+ |
SOT-223 |
2600 |
原厂原装正品 |
询价 | ||
NEXPERIA/安世 |
SOT223 |
7906200 |
询价 | ||||
NEXPERIA/安世 |
23+ |
SMD |
3000 |
只做原装 深圳公司现货 十年信誉 |
询价 | ||
NXP |
21+ |
SOT-223 |
35210 |
一级代理/全新现货/假一罚百! |
询价 |
