PBSS3515E中文资料飞利浦数据手册PDF规格书
PBSS3515E规格书详情
General description
PNP low VCEsat Breakthrough in Small Signal (BISS) transistor in a SOT416 (SC-75) SMD plastic package.
Features
■ Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
■ High collector current capability: IC and ICM
■ High collector current gain (hFE) at high IC
■ High efficiency due to less heat generation
■ Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors
Applications
■ DC-to-DC conversion
■ MOSFET gate driving
■ Motor control
■ Charging circuits
■ Low power switches (e.g. motors, fans)
■ Portable applications
产品属性
- 型号：
PBSS3515E
- 功能描述：
两极晶体管 - BJT LOW VCESAT(BLISS) TAPE-7
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
- VCBO：
集电极—发射极最大电压
- VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
- VEBO：
- 6 V
- 增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
- Min：
100 A
- 安装风格：
SMD/SMT
- 封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
24+ |
NA/ |
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恩XP |
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SOT416 |
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SOT416 |
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恩XP |
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恩XP |
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NEXPERIA/安世 |
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SOT416 |
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原装正品 |
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恩XP |
2011+PB |
SC-75 |
200000 |
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恩XP |
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恩XP |
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