PBSS3515E中文资料下载供应商报价安世-114ic电子网

首页 >PBSS3515E>规格书列表

零件编号	下载订购	功能描述/丝印	制造商上传企业	LOGO
PBSS3515E	文件：110.02 Kbytes Page：11 Pages	15 V, 0.5 A PNP low VCEsat (BISS) transistor Generaldescription PNPlowVCEsatBreakthroughinSmallSignal(BISS)transistorinaSOT416(SC-75)SMDplasticpackage. Features ■Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ■Highcollectorcurrentcapability:ICandICM ■Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC ■Highefficien	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS3515E	文件：243.02 Kbytes Page：13 Pages	Marking：1R；Package：SC-75；15 V, 0.5 A PNP low VCEsat (BISS) transistor Features Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat HighcollectorcurrentcapabilityICandICM Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC Highefficiencyduetolessheatgeneration *SmallerrequiredPrinted-CircuitBoard(PCB)areathanforconventionaltransistors	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS3515F	文件：63.97 Kbytes Page：8 Pages	15VlowVCEsatPNPtransistor DESCRIPTION PNPlowVCEsattransistorinaSC-89(SOT490)plasticpackage. NPNcomplement:PBSS2515F. FEATURES •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Highcurrentcapabilities •Improvedthermalbehaviourduetoflatleads. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandmuting •Lowf	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS3515M	文件：353.04 Kbytes Page：10 Pages	15V,0.5APNPlowVCEsat(BISS)transistor FEATURES •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM •Highefficiencyleadingtoreducedheatgeneration •Reducedprinted-circuitboardrequirements. APPLICATIONS •Powermanagement: –DC-DCconverter –Supplylineswitching –Batterycharg	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS3515MB	文件：1.09867 Mbytes Page：12 Pages	15V,0.5APNPlowVCEsat(BISS)transistor	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS3515VS	文件：201.2 Kbytes Page：9 Pages	15VlowVCEsatPNPdoubletransistor 1.Generaldescription PNPlowVCEsatdoubletransistorinaSOT666ultrasmallandflatleadSurface-MountedDevice (SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PBSS2515VS 2.Featuresandbenefits •300mWtotalpowerdissipation •Verysmall1.6x1.2mmultrathinpackage •Selfalignmentdu	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS3515VS	文件：68.56 Kbytes Page：12 Pages	15VlowVCEsatPNPdoubletransistor DESCRIPTION PNPlowVCEsatdoubletransistorinaSOT666plasticpackage. NPNcomplement:PBSS2515VS. FEATURES •300mWtotalpowerdissipation •Verysmall1.6x1.2mmultrathinpackage •Selfalignmentduringsolderingduetostraightleads •Lowcollector-emittersaturationvoltage •	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PC3515-O	文件：277.23 Kbytes Page：2 Pages	PRODUCTSPECIFICATION	P-TEC P-TEC corporation	P-TEC
PE3515	文件：273.59 Kbytes Page：1 Pages	CABLEASSEMBLYRG316/USMAMALERIGHTANGLETOSMAMALERIGHTANGLE CABLEASSEMBLY,RG316/U,SMAMALERIGHTANGLETOSMAMALERIGHTANGLE	PASTERNACK Pasternack Enterprises, Inc.	PASTERNACK
PE3515-I	文件：633.26 Kbytes Page：1 Pages	PEseriesPCBsafetyisolationtransformer	YHDCBeijing Yaohuadechang Electronic Co., Ltd. 德昌电气设备德昌电气设备有限公司	YHDC

详细参数

型号：
PBSS3515E
功能描述：
两极晶体管 - BJT LOW VCESAT(BLISS) TAPE-7
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	PBSS3515E	恩XP	24+	SC-75	45000	热卖优势现货	询价
海芯未来半导体电子（深圳）有限公司	PBSS3515E	恩XP	24+	NA	39500		询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	PBSS3515E	NEXPERIA/安世	20+	SOT-423	120000	原装正品可含税交易	询价
深圳市益百分电子有限公司	PBSS3515E	恩XP	11+	NA	90		询价
深圳市恒创达实业有限公司	PBSS3515E	恩XP	17+	NA	6200	100%原装正品现货	询价
深圳市利加科技有限公司	PBSS3515E	恩XP	16+	NA	8800	诚信经营	询价
深圳市科恒伟业电子有限公司	PBSS3515E	恩XP	1735+	SOT523	6528	科恒伟业!只做原装正品!假一赔十!	询价
深圳市正迈科技有限公司	PBSS3515E	恩XP	23+	NA	1014	专业电子元器件供应链正迈科技特价代理QQ1304306553	询价
千层芯半导体(深圳)有限公司	PBSS3515E	恩XP	24+	SMD	100	NXP一级代理商原装进口现货,假一赔十	询价
深圳诚思涵科技有限公司	PBSS3515E	恩XP	2011+PB	SC-75	200000		询价

更多PBSS3515E供应商更新时间2025-5-28 19:08:00

客户服务网站合作

Tel：0755 8246 9263
Email：kf＠114ic.com
投诉建议：kf@114ic.com

Copyright © 2003-2025 114ic.com All Rights Reserved 粤ICP备05011613号粤公网安备 44030402000933号