PBSS3515E中文资料15 V, 0.5 A PNP low VCEsat (BISS) transistor数据手册Nexperia规格书
PBSS3515E规格书详情
描述 Description
PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in an ultra small SOT416 (SC-75) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.
NPN complement: PBSS2515E.
技术参数
- 型号：
PBSS3515E
- 功能描述：
两极晶体管 - BJT LOW VCESAT(BLISS) TAPE-7
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
- VCBO：
集电极—发射极最大电压
- VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
- VEBO：
- 6 V
- 增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
- Min：
100 A
- 安装风格：
SMD/SMT
- 封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2
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