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PBSS304PZ中文资料60 V, 4.5 A PNP low VCEsat (BISS) transistor数据手册恩XP规格书

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厂商型号

PBSS304PZ

参数属性

PBSS304PZ 封装/外壳为TO-261-4,TO-261AA;包装为剪切带(CT)带盒(TB);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 60V 4.5A SOT223

功能描述

60 V, 4.5 A PNP low VCEsat (BISS) transistor

封装外壳

TO-261-4,TO-261AA

制造商

恩XP

中文名称

N智浦

数据手册

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更新时间

2025-11-25 23:00:00

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技术参数

  • 产品编号:

    PBSS304PZ,135

  • 制造商:

    ETC

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    剪切带(CT)带盒(TB)

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    375mV @ 225mA,4.5A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    150 @ 2A,2V

  • 频率 - 跃迁:

    130MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-261-4,TO-261AA

  • 供应商器件封装:

    SOT-223

  • 描述:

    TRANS PNP 60V 4.5A SOT223

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
恩XP
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