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PBSS304ND数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

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厂商型号

PBSS304ND

参数属性

PBSS304ND 封装/外壳为SC-74,SOT-457;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 80V 1A 6TSOP

功能描述

80 V, 3 A NPN low VCEsat (BISS) transistor

封装外壳

SC-74,SOT-457

制造商

Nexperia Nexperia B.V. All rights reserved

中文名称

安世 安世半导体(中国)有限公司

数据手册

下载地址下载地址二

更新时间

2025-8-8 12:00:00

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PBSS304ND规格书详情

描述 Description

NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT457 (SC-74) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.
PNP complement: PBSS304PD.

特性 Features

• Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
• High collector current capability IC and ICM
• High collector current gain (hFE) at high IC
• High efficiency due to less heat generation
• Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors
• AEC-Q101 qualified

应用 Application

• High-voltage DC-to-DC conversion
• High-voltage MOSFET gate driving
• High-voltage motor control
• High-voltage power switches (e.g. motors, fans)
• Thin Film Transistor (TFT) backlight inverter
• Automotive applications

技术参数

  • 制造商编号

    :PBSS304ND

  • 生产厂家

    :Nexperia

  • Package version

    :SOT457

  • Package name

    :TSOP6

  • Size (mm)

    :2.9 x 1.5 x 1

  • transistor polarity

    :NPN

  • P_tot [max] (mW)

    :360

  • V_CEO [max] (V)

    :80

  • I_C [max] (A)

    :1

  • I_CM [max] (A)

    :6

  • h_FE [min]

    :240

  • h_FE [typ]

    :360

  • f_T [typ] (MHz)

    :140

  • R_CEsat [typ] (mΩ)

    :68

  • V_CEsat [max] (mV)

    :505

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