PBSS304ND中文资料80 V, 3 A NPN low VCEsat (BISS) transistor数据手册Nexperia规格书
| 厂商型号 |
PBSS304ND |
| 参数属性 | PBSS304ND 封装/外壳为SC-74，SOT-457；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 80V 1A 6TSOP |
| 功能描述 | 80 V, 3 A NPN low VCEsat (BISS) transistor |
| 封装外壳 | SC-74，SOT-457 |
| 制造商 | Nexperia Nexperia B.V. All rights reserved |
| 中文名称 | 安世 安世半导体(中国)有限公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-24 9:11:00 |
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PBSS304ND规格书详情
描述 Description
NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT457 (SC-74) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.
PNP complement: PBSS304PD.
特性 Features
• Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
• High collector current capability IC and ICM
• High collector current gain (hFE) at high IC
• High efficiency due to less heat generation
• Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors
• AEC-Q101 qualified
应用 Application
• High-voltage DC-to-DC conversion
• High-voltage MOSFET gate driving
• High-voltage motor control
• High-voltage power switches (e.g. motors, fans)
• Thin Film Transistor (TFT) backlight inverter
• Automotive applications
技术参数
- 制造商编号
：PBSS304ND
- 生产厂家
：Nexperia
- Package version
：SOT457
- Package name
：TSOP6
- Size (mm)
：2.9 x 1.5 x 1
- transistor polarity
：NPN
- P_tot [max] (mW)
：360
- V_CEO [max] (V)
：80
- I_C [max] (A)
：1
- I_CM [max] (A)
：6
- h_FE [min]
：240
- h_FE [typ]
：360
- f_T [typ] (MHz)
：140
- R_CEsat [typ] (mΩ)
：68
- V_CEsat [max] (mV)
：505
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
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SOT-23 |
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恩XP |
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恩XP |
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SOT-23 |
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原装正品，支持实单 |
询价 |
