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PBSS303PD-Q中文资料60 V, 3 A PNP low VCEsat transistor数据手册Nexperia规格书
PBSS303PD-Q规格书详情
描述 Description
PNP low VCEsat transistor in a SOT457 (SC-74) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.
NPN complement: PBSS303ND
特性 Features
• Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
• High collector current capability IC and ICM
• High collector current gain (hFE) at high IC
• High efficiency due to less heat generation
• Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors
• Qualified according to AEC-Q101 and recommended for use in automotive applications
应用 Application
High-voltage DC-to-DC conversion
High-voltage MOSFET gate driving
High-voltage motor control
High-voltage power switches (e.g. motors, fans)
Thin Film Transistor (TFT) backlight inverter
Automotive applications
技术参数
- 制造商编号
：PBSS303PD-Q
- 生产厂家
：Nexperia
- Package name
：TSOP6
- Size (mm)
：2.9 x 1.5 x 1
- Polarity
：PNP
- Ptot [max] (mW)
：2500
- VCEO [max] (V)
：-60
- IC [max] (A)
：-1
- ICM [max] (A)
：-6
- hFE [min]
：180
- hFE [typ]
：265
- fT [typ] (MHz)
：110
- VCEsat [max] (mV)
：-675
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEXPERIA/安世 |
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NA/ |
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Nexperia/安世 |
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SOT-89 |
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恩XP |
20+ |
SOT-89 |
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恩XP |
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NEXPERIA/安世 |
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SOT89 |
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恩XP |
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