PBSS301PD中文资料20 V, 4 A PNP low VCEsat (BISS) transistor数据手册恩XP规格书
技术参数
- 产品编号：
PBSS301PD,115
- 制造商：
ETC
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
420mV @ 600mA，6A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
200 @ 2A，2V
- 频率 - 跃迁：
80MHz
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
SC-74，SOT-457
- 供应商器件封装：
6-TSOP
- 描述：
TRANS PNP 20V 4A 6TSOP
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
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