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PBSS301NZ中文资料12 V, 5.8 A NPN low VCEsat (BISS) transistor数据手册恩XP规格书

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厂商型号

PBSS301NZ

参数属性

PBSS301NZ 封装/外壳为TO-261-4,TO-261AA;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 12V 5.8A SOT223

功能描述

12 V, 5.8 A NPN low VCEsat (BISS) transistor

封装外壳

TO-261-4,TO-261AA

制造商

恩XP

中文名称

N智浦

数据手册

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更新时间

2025-9-24 10:21:00

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PBSS301NZ规格书详情

描述 Description

General description
NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT223 (SC-73) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.
PNP complement: PBSS301PZ.

特性 Features

■ Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
■ High collector current capability IC and ICM
■ High collector current gain (hFE) at high IC
■ High efficiency due to less heat generation
■ Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistorsApplications
■ DC-to-DC conversion
■ MOSFET gate driving
■ Motor control
■ Charging circuits
■ Power switches (e.g. motors, fans)

技术参数

  • 产品编号:

    PBSS301NZ,135

  • 制造商:

    ETC

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    235mV @ 290mA,5.8A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    250 @ 2A,2V

  • 频率 - 跃迁:

    140MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-261-4,TO-261AA

  • 供应商器件封装:

    SOT-223

  • 描述:

    TRANS NPN 12V 5.8A SOT223

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NEXPERIA/安世
2019+
SOT-223
78550
原厂渠道 可含税出货
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恩XP
22+
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45000
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SOT-223
120000
原装正品 可含税交易
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