PBSS301NZ数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF
PBSS301NZ规格书详情
描述 Description
General description
NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT223 (SC-73) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.
PNP complement: PBSS301PZ.
特性 Features
■ Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
■ High collector current capability IC and ICM
■ High collector current gain (hFE) at high IC
■ High efficiency due to less heat generation
■ Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistorsApplications
■ DC-to-DC conversion
■ MOSFET gate driving
■ Motor control
■ Charging circuits
■ Power switches (e.g. motors, fans)
技术参数
- 产品编号：
PBSS301NZ,135
- 制造商：
ETC
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
235mV @ 290mA，5.8A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
250 @ 2A，2V
- 频率 - 跃迁：
140MHz
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-261-4，TO-261AA
- 供应商器件封装：
SOT-223
- 描述：
TRANS NPN 12V 5.8A SOT223
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEXPERIA/安世 |
22+ |
SOT-223 |
20000 |
原装现货,实单支持 |
询价 | ||
NEXPERIA/安世 |
23+ |
4000 |
78000 |
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询价 | ||
NEXPERIA/安世 |
25+ |
SOT-223 |
38127 |
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NEXPERIA/安世 |
2022+ |
4000 |
6600 |
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NEXPERIA/安世 |
2019+ |
SOT-223 |
78550 |
原厂渠道 可含税出货 |
询价 | ||
NEXPERIA/安世 |
2511 |
SOT-223 |
360000 |
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NEXPERIA/安世 |
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NA/ |
15320 |
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Nexperia(安世) |
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SOT223 |
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恩XP |
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SOT-223 |
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NEXPERIA/安世 |
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SOT223 |
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