PBSS301PZ中文资料12 V, 5.7 A PNP low VCEsat (BISS) transistor数据手册恩XP规格书

厂商型号 |
PBSS301PZ |
参数属性 | PBSS301PZ 封装/外壳为TO-261-4,TO-261AA;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 12V 5.7A SOT223 |
功能描述 | 12 V, 5.7 A PNP low VCEsat (BISS) transistor |
封装外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
制造商 | 恩XP |
中文名称 | N智浦 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-24 12:00:00 |
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技术参数
- 产品编号:
PBSS301PZ,135
- 制造商:
ETC
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型:
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
245mV @ 285mA,5.7A
- 电流 - 集电极截止(最大值):
100nA(ICBO)
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
200 @ 2A,2V
- 频率 - 跃迁:
140MHz
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-261-4,TO-261AA
- 供应商器件封装:
SOT-223
- 描述:
TRANS PNP 12V 5.7A SOT223
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
NEXPERIA/安世 |
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SOT-223 |
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