PBSS301PD中文资料20 V, 4 A PNP low VCEsat (BISS) transistor数据手册Nexperia规格书
| 厂商型号 |
PBSS301PD |
| 参数属性 | PBSS301PD 封装/外壳为SC-74，SOT-457；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP 20V 4A 6TSOP |
| 功能描述 | 20 V, 4 A PNP low VCEsat (BISS) transistor |
| 封装外壳 | SC-74，SOT-457 |
| 制造商 | Nexperia Nexperia B.V. All rights reserved |
| 中文名称 | 安世 安世半导体(中国)有限公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-24 10:44:00 |
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PBSS301PD规格书详情
描述 Description
PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.
NPN complement: PBSS301ND.
特性 Features
• Very low collector-emitter saturation resistance
• Ultra low collector-emitter saturation voltage
• 4 A continuous collector current
• Up to 15 A peak current
• High efficiency due to less heat generation
• AEC-Q101 qualified
应用 Application
• Power management functions
• Charging circuits
• DC-to-DC conversion
• MOSFET gate driving
• Power switches (e.g. motors, fans)
• Thin Film Transistor (TFT) backlight inverter
技术参数
- 制造商编号
：PBSS301PD
- 生产厂家
：Nexperia
- Package name
：TSOP6
- Size (mm)
：2.9 x 1.5 x 1
- Polarity
：PNP
- Ptot [max] (mW)
：2500
- VCEO [max] (V)
：-20
- IC [max] (A)
：-4
- ICM [max] (A)
：-15
- hFE [min]
：250
- hFE [typ]
：400
- fT [typ] (MHz)
：80
- RCEsat [typ] (mΩ)
：50
- RCEsat [max] (mΩ)
：70
- VCEsat [max] (mV)
：-420
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