PBSS302ND中文资料40 V, 4 A NPN low VCEsat (BISS) transistor数据手册Nexperia规格书
| 厂商型号 |
PBSS302ND |
| 参数属性 | PBSS302ND 封装/外壳为SC-74，SOT-457；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 40V 4A 6TSOP |
| 功能描述 | 40 V, 4 A NPN low VCEsat (BISS) transistor |
| 封装外壳 | SC-74，SOT-457 |
| 制造商 | Nexperia Nexperia B.V. All rights reserved |
| 中文名称 | 安世 安世半导体(中国)有限公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-24 14:50:00 |
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PBSS302ND规格书详情
描述 Description
NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT457 (SC-74) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.
PNP complement: PBSS302PD.
特性 Features
• Ultra low collector-emitter saturation voltage VCEsat
• 4 A continuous collector current capability IC
• Up to 15 A peak current
• Very low collector-emitter saturation resistance
• High efficiency due to less heat generation
• AEC-Q101 qualified
应用 Application
• Power management functions
• Charging circuits
• DC-to-DC conversion
• MOSFET gate driving
• Power switches (e.g. motors, fans)
• Thin Film Transistor (TFT) backlight inverter
技术参数
- 制造商编号
：PBSS302ND
- 生产厂家
：Nexperia
- Package name
：TSOP6
- Size (mm)
：2.9 x 1.5 x 1
- Polarity
：NPN
- Ptot (mW)
：360
- VCEO [max] (V)
：40
- IC [max] (mA)
：4000
- hFE [min]
：300
- Tj [max] (°C)
：150
- Automotive qualified
：N
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
原装 |
25+23+ |
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恩XP |
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Nexperia |
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恩XP |
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SOT-23 |
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恩XP |
2023+ |
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6000 |
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询价 |
