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PBSS302NX中文资料20 V, 5.3 A NPN low VCEsat (BISS) transistor数据手册Nexperia规格书

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厂商型号

PBSS302NX

参数属性

PBSS302NX 封装/外壳为TO-243AA;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 20V 5.3A SOT89

功能描述

20 V, 5.3 A NPN low VCEsat (BISS) transistor

封装外壳

TO-243AA

制造商

Nexperia Nexperia B.V. All rights reserved

中文名称

安世 安世半导体(中国)有限公司

数据手册

下载地址下载地址二

更新时间

2025-9-24 11:31:00

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PBSS302NX规格书详情

描述 Description

NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT89 (SC-62/TO-243) small and flat lead Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.
PNP complement: PBSS302PX.

特性 Features

• Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
• High collector current capability IC and ICM
• High collector current gain (hFE) at high IC
• High efficiency due to less heat generation
• Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors
• AEC-Q101 qualified

应用 Application

• DC-to-DC conversion
• MOSFET gate driving
• Motor control
• Charging circuits
• Power switches (e.g. motors, fans)

技术参数

  • 制造商编号

    :PBSS302NX

  • 生产厂家

    :Nexperia

  • Package name

    :SOT89

  • Size (mm)

    :4.5 x 2.5 x 1.5

  • Polarity

    :NPN

  • Ptot (mW)

    :600

  • VCEO [max] (V)

    :20

  • IC [max] (mA)

    :5300

  • hFE [min]

    :300

  • Tj [max] (°C)

    :150

  • Automotive qualified

    :N

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