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PBSS302NX	文件：310.75 Kbytes Page：16 Pages	Marking：5C；Package：SC-62；20 V, 5.3 A NPN low VCEsat (BISS) transistor Features Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat HighcollectorcurrentcapabilityICandICM Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC Highefficiencyduetolessheatgeneration *SmallerrequiredPrinted-CircuitBoard(PCB)areathanforconventionaltransistors	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS302NX,115	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-243AA；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 20V 5.3A SOT89	Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc.	Nexperia USA Inc.
PBSS302NZ	文件：102.57 Kbytes Page：14 Pages	20V,5.8ANPNlowVCEsat(BISS)transistor Generaldescription NPNlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinaSOT223(SC-73)smallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. PNPcomplement:PBSS302PZ. Features ■Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ■HighcollectorcurrentcapabilityICandICM ■Hig	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS302NZ	文件：271.98 Kbytes Page：13 Pages	20V,5.8ANPNlowVCEsattransistor 1.Generaldescription NPNlowVCEsattransistorinaSOT223(SC-73)smallSurface-MountedDevice(SMD)plastic package. PNPcomplement:PBSS302PZ 2.Featuresandbenefits •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM •Highcollectorcur	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS302NZ-Q	文件：271.57 Kbytes Page：13 Pages	20V,5.8ANPNlowVCEsattransistor 1.Generaldescription NPNlowVCEsattransistorinaSOT223(SC-73)smallSurface-MountedDevice(SMD)plastic package. 2.Featuresandbenefits •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM •Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS302PD	文件：134.92 Kbytes Page：14 Pages	40VPNPlowVCEsat(BISS)transistor Generaldescription PNPlowVCEsatBreakthroughinSmallSignal(BISS)singlebipolarPNPtransistorinaSOT457(SC-74)SMDplasticpackage. NPNcomplement:PBSS302ND Features ■Ultralowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ■4AcontinuouscollectorcurrentcapabilityIC(DC) ■Up	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS302PD	文件：264.57 Kbytes Page：15 Pages	40V,4APNPlowVCEsat(BISS)transistor 1.1Generaldescription PNPlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinaSOT457(SC-74) smallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PBSS302ND. 1.2Features Ultralowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat 4Acontinuouscollectorcurrentc	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS302PD-Q	文件：306.81 Kbytes Page：14 Pages	40V,4APNPlowVCEsattransistor 1.Generaldescription PNPlowVCEsattransistorinaSOT457(SC-74)smallSurface-MountedDevice(SMD)plastic package. NPNcomplement:PBSS302ND-Q 2.Featuresandbenefits •Ultralowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •4AcontinuouscollectorcurrentcapabilityIC •Upto15	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS302PX	文件：310.75 Kbytes Page：16 Pages	20V,5.1APNPlowVCEsat(BISS)transistor Features Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat HighcollectorcurrentcapabilityICandICM Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC Highefficiencyduetolessheatgeneration *SmallerrequiredPrinted-CircuitBoard(PCB)areathanforconventionaltransistors	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS302PZ	文件：285.71 Kbytes Page：15 Pages	20V,5.5APNPlowVCEsat(BISS)transistor Features Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat HighcollectorcurrentcapabilityICandICM Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC Highefficiencyduetolessheatgeneration *SmallerrequiredPrinted-CircuitBoard(PCB)areathanforconventionaltransistors	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

详细参数

型号：
PBSS302NX
功能描述：
两极晶体管 - BJT PNP 20V 5.3A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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