PBSS302NX分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
PBSS302NX |
| 参数属性 | PBSS302NX 封装/外壳为TO-243AA；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 20V 5.3A SOT89 |
| 功能描述 | 20 V, 5.3 A NPN low VCEsat (BISS) transistor |
| 丝印标识 | |
| 封装外壳 | SC-62 / TO-243AA |
| 文件大小 |
310.75 Kbytes |
| 页面数量 |
16 页 |
| 生产厂商 | NEXPERIA Nexperia B.V. All rights reserved |
| 中文名称 | 安世 安世半导体(中国)有限公司 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-10-12 22:59:00 |
| 人工找货 | PBSS302NX价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
PBSS302NX规格书详情
特性 Features
* Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
* High collector current capability IC and ICM
* High collector current gain (hFE) at high IC
* High efficiency due to less heat generation
* Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors
产品属性
- 产品编号：
PBSS302NX,115
- 制造商：
Nexperia USA Inc.
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
200mV @ 265mA，5.3A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
250 @ 2A，2V
- 频率 - 跃迁：
140MHz
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-243AA
- 供应商器件封装：
SOT-89
- 描述：
TRANS NPN 20V 5.3A SOT89
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEXPERIA/安世 |
24+ |
NA/ |
2000 |
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询价 | ||
Nexperia(安世) |
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SOT89 |
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恩XP |
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