PBSS302NX分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

| 厂商型号 |
PBSS302NX |
| 参数属性 | PBSS302NX 封装/外壳为TO-243AA;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 20V 5.3A SOT89 |
| 功能描述 | 20 V, 5.3 A NPN low VCEsat (BISS) transistor |
| 丝印标识 | |
| 封装外壳 | SC-62 / TO-243AA |
| 文件大小 |
310.75 Kbytes |
| 页面数量 |
16 页 |
| 生产厂商 | NEXPERIA |
| 中文名称 | 安世 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-12-18 19:09:00 |
| 人工找货 | PBSS302NX价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
PBSS302NX规格书详情
特性 Features
* Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
* High collector current capability IC and ICM
* High collector current gain (hFE) at high IC
* High efficiency due to less heat generation
* Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors
产品属性
- 产品编号:
PBSS302NX,115
- 制造商:
Nexperia USA Inc.
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型:
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
200mV @ 265mA,5.3A
- 电流 - 集电极截止(最大值):
100nA(ICBO)
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
250 @ 2A,2V
- 频率 - 跃迁:
140MHz
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-243AA
- 供应商器件封装:
SOT-89
- 描述:
TRANS NPN 20V 5.3A SOT89
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
24+ |
SOT89 |
880000 |
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询价 | ||
NEXPERIA/安世 |
23+ |
SOT-89 |
50000 |
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恩XP |
SOT89 |
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恩XP |
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恩XP |
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恩XP |
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恩XP |
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恩XP |
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NEXPERIA/安世 |
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