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PBSS2540M分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

PBSS2540M
厂商型号

PBSS2540M

参数属性

PBSS2540M 封装/外壳为3-XFDFN;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 40V 0.5A DFN1006B-3

功能描述

40 V, 0.5 A NPN low VCEsat (BISS) transistor

封装外壳

3-XFDFN

文件大小

73.29 Kbytes

页面数量

9

生产厂商 Philips Semiconductors
企业简称

PHI飞利浦

中文名称

荷兰皇家飞利浦

数据手册

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更新时间

2025-6-24 22:59:00

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PBSS2540M规格书详情

DESCRIPTION

Low VCEsat NPN transistor in a SOT883 leadless ultra small plastic package.

PNP complement: PBSS3540M.

FEATURES

• Low collector-emitter saturation voltage VCEsat

• High collector current capability IC and ICM

• High efficiency leading to reduced heat generation

• Reduced printed-circuit board requirements.

APPLICATIONS

• Power management:

– DC-DC converter

– Supply line switching

– Battery charger

– LCD backlighting.

• Peripheral driver:

– Driver in low supply voltage applications (e.g. lamps

and LEDs).

– Inductive load drivers (e.g. relays, buzzers and

motors).

产品属性

  • 产品编号:

    PBSS2540MB,315

  • 制造商:

    Nexperia USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    50mV @ 500µA,10mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100µA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    200 @ 10mA,2V

  • 频率 - 跃迁:

    450MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    3-XFDFN

  • 供应商器件封装:

    DFN1006B-3

  • 描述:

    TRANS NPN 40V 0.5A DFN1006B-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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