PBSS2515E中文资料数据手册PDF规格书
PBSS2515E规格书详情
General description
NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in an ultra small SOT416 (SC-75) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.
特性 Features
■ Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
■ High collector current capability IC and ICM
■ High collector current gain (hFE) at high IC
■ High efficiency due to less heat generation
■ Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors
Applications
■ DC-to-DC conversion
■ MOSFET gate driving
■ Motor control
■ Charging circuits
■ Low power switches (e.g. motors, fans)
■ Portable applications
产品属性
- 型号：
PBSS2515E
- 功能描述：
两极晶体管 - BJT NPN 15V .5A LOW SAT
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
- VCBO：
集电极—发射极最大电压
- VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
- VEBO：
- 6 V
- 增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
- Min：
100 A
- 安装风格：
SMD/SMT
- 封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
2511 |
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