PBSS2540E分立半导体产品晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
PBSS2540E |
| 参数属性 | PBSS2540E 封装/外壳为SC-75，SOT-416；包装为散装；类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个；产品描述：TRANS NPN 40V 0.5A SC75 |
| 功能描述 | 40 V, 500 mA NPN low VCEsat (BISS) transistor |
| 文件大小 |
172.09 Kbytes |
| 页面数量 |
11 页 |
| 生产厂商 | NXP Semiconductors |
| 企业简称 |
nxp【恩智浦】 |
| 中文名称 | 恩智浦半导体公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-6-10 16:00:00 |
PBSS2540E规格书详情
PBSS2540E属于分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个。恩智浦半导体公司制造生产的PBSS2540E晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
产品属性
- 产品编号：
PBSS2540E,115
- 制造商：
NXP USA Inc.
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
散装
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
250mV @ 50mA，500mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 100mA，2V
- 频率 - 跃迁：
450MHz
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
SC-75，SOT-416
- 供应商器件封装：
SC-75
- 描述：
TRANS NPN 40V 0.5A SC75
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NXP/恩智浦 |
2122+ |
SOT416 |
19990 |
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询价 | ||
NXP |
原厂封装 |
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询价 | |||
NXP/恩智浦 |
24+ |
SOT416 |
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30000 |
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NXP/恩智浦 |
22+ |
SOT416 |
18000 |
原装正品 |
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NXP-恩智浦 |
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车规-晶体管 |
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SOT423 |
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NXP/恩智浦 |
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SC75 |
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NXP/恩智浦 |
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SOT416 |
25000 |
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SOT523 |
8000 |
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