PBSS301NZ分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
PBSS301NZ |
| 参数属性 | PBSS301NZ 封装/外壳为TO-261-4，TO-261AA；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 12V 5.8A SOT223 |
| 功能描述 | 12 V, 5.8 A NPN low VCEsat (BISS) transistor |
| 封装外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 文件大小 |
172.66 Kbytes |
| 页面数量 |
14 页 |
| 生产厂商 | 恩XP |
| 原厂标识 | 恩XP |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-1 23:00:00 |
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PBSS301NZ规格书详情
General description
NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT223 (SC-73) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.
PNP complement: PBSS301PZ.
特性 Features
■ Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
■ High collector current capability IC and ICM
■ High collector current gain (hFE) at high IC
■ High efficiency due to less heat generation
■ Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors
Applications
■ DC-to-DC conversion
■ MOSFET gate driving
■ Motor control
■ Charging circuits
■ Power switches (e.g. motors, fans)
产品属性
- 产品编号：
PBSS301NZ,135
- 制造商：
ETC
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
235mV @ 290mA，5.8A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
250 @ 2A，2V
- 频率 - 跃迁：
140MHz
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-261-4，TO-261AA
- 供应商器件封装：
SOT-223
- 描述：
TRANS NPN 12V 5.8A SOT223
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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