PBSS304PD数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF
| 厂商型号 |
PBSS304PD |
| 参数属性 | PBSS304PD 封装/外壳为SC-74，SOT-457；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP 80V 1A 6TSOP |
| 功能描述 | 80 V, 3 A PNP low VCEsat (BISS) transistor |
| 封装外壳 | SC-74，SOT-457 |
| 制造商 | Nexperia Nexperia B.V. All rights reserved |
| 中文名称 | 安世 安世半导体(中国)有限公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-8 10:36:00 |
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PBSS304PD规格书详情
描述 Description
PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT457 (SC-74) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.
NPN complement: PBSS304ND.
特性 Features
• Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
• High collector current capability IC and ICM
• High collector current gain (hFE) at high IC
• High efficiency due to less heat generation
• Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors
• AEC-Q101 qualified
应用 Application
• High-voltage DC-to-DC conversion
• High-voltage MOSFET gate driving
• High-voltage motor control
• High-voltage power switches (e.g. motors, fans)
• Thin Film Transistor (TFT) backlight inverter
• Automotive applications
技术参数
- 制造商编号
：PBSS304PD
- 生产厂家
：Nexperia
- Package name
：TSOP6
- Size (mm)
：2.9 x 1.5 x 1
- Polarity
：PNP
- Ptot [max] (mW)
：2500
- VCEO [max] (V)
：-80
- IC [max] (A)
：-1
- ICM [max] (A)
：-5
- hFE [min]
：155
- hFE [typ]
：255
- fT [typ] (MHz)
：110
- RCEsat [typ] (mΩ)
：75
- RCEsat [max] (mΩ)
：100
- VCEsat [max] (mV)
：-540
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
24+ |
SMD |
500 |
NXP一级代理商原装进口现货,假一赔十 |
询价 | ||
Nexperia USA Inc. |
25+ |
SC-74 SOT-457 |
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询价 | ||
恩XP |
10+ |
NA |
400 |
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询价 | ||
恩XP |
24+ |
SOT457 |
15000 |
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恩XP |
2025+ |
SOT23-6L |
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恩XP |
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SOT457 |
89630 |
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恩XP |
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24+ |
N/A |
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恩XP |
24+ |
6-TSOP |
115 |
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NK/南科功率 |
2025+ |
SOT457 |
986966 |
国产 |
询价 |
