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PBSS3515MB数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF
| 厂商型号 |
PBSS3515MB |
| 参数属性 | PBSS3515MB 封装/外壳为3-XFDFN；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP 15V 0.5A DFN1006B-3 |
| 功能描述 | 15 V, 0.5 A PNP low VCEsat (BISS) transistor |
| 封装外壳 | 3-XFDFN |
| 制造商 | Nexperia Nexperia B.V. All rights reserved |
| 中文名称 | 安世 安世半导体(中国)有限公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-8 10:02:00 |
| 人工找货 | PBSS3515MB价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
PBSS3515MB规格书详情
描述 Description
PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a leadless ultra small SOT883B Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. NPN complement: PBSS2515MB.
特性 Features
• Leadless ultra small SMD plastic package
• Low package height of 0.37 mm
• Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
• High collector current capability IC and ICM
• High efficiency due to less heat generation
• AEC-Q101 qualified
• Reduced Printed-Circuit Board (PCB) requirements
应用 Application
• DC-to-DC conversion
• Supply line switching
• Battery charger
• LCD backlighting
• Driver in low supply voltage applications (e.g. lamps and LEDs)
技术参数
- 制造商编号
：PBSS3515MB
- 生产厂家
：Nexperia
- Package name
：DFN1006B-3
- Size (mm)
：1 x 0.6 x 0.37
- Polarity
：PNP
- Ptot [max] (mW)
：590
- VCEO [max] (V)
：-15
- IC [max] (A)
：-0.5
- ICM [max] (A)
：-1
- hFE [min]
：200
- fT [min] (MHz)
：100
- fT [typ] (MHz)
：280
- RCEsat [max] (mΩ)
：500
- VCEsat [max] (mV)
：-250
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
24+ |
SOT-89 |
98200 |
新进库存/原装 |
询价 | ||
恩XP |
16+ |
NA |
8800 |
诚信经营 |
询价 | ||
PHI |
1923+ |
SOT363 |
3000 |
绝对进口原装现货 |
询价 | ||
恩XP |
23+ |
SOT666 |
12500 |
全新原装现货,假一赔十,价格优势 |
询价 | ||
恩XP |
2023+ |
SOT-666 |
6895 |
原厂全新正品旗舰店优势现货 |
询价 | ||
Philip |
1822+ |
SOT-363 |
6852 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
询价 | ||
NEXPERIA/安世 |
22+ |
NA |
35000 |
原装现货,假一罚十 |
询价 | ||
NEXPERIA |
23+ |
SOT666 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
恩XP |
21+ |
XFDFN-3 |
60000 |
绝对原装正品现货,假一罚十 |
询价 | ||
24+ |
N/A |
60000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 |
