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PBSS3515M数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

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厂商型号

PBSS3515M

参数属性

PBSS3515M 封装/外壳为3-XFDFN;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 15V 0.5A DFN1006B-3

功能描述

15 V, 0.5 A PNP low VCEsat (BISS) transistor

封装外壳

3-XFDFN

制造商

Nexperia Nexperia B.V. All rights reserved

中文名称

安世 安世半导体(中国)有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 9:32:00

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PBSS3515M规格书详情

描述 Description

Low VCEsat PNP transistor in a SOT883 leadless ultra small plastic package.
NPN complement: PBSS2515M.

特性 Features

• Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
• High collector current capability IC and ICM
• High efficiency leading to reduced heat generation
• Reduced printed-circuit board requirements.
• AEC-Q101 qualified

应用 Application

• Power management:
• DC-DC converter
• Supply line switching
• Battery charger
• LCD backlighting.

• Peripheral driver:
• Driver in low supply voltage applications (e.g. lamps and LEDs).
• Inductive load drivers (e.g. relays, buzzers and motors).

技术参数

  • 制造商编号

    :PBSS3515M

  • 生产厂家

    :Nexperia

  • Package name

    :DFN1006-3

  • Size (mm)

    :1 x 0.6 x 0.48

  • Polarity

    :PNP

  • Ptot (mW)

    :250

  • VCEO [max] (V)

    :-15

  • IC [max] (mA)

    :-500

  • hFE [min]

    :200

  • Tj [max] (°C)

    :150

  • fT [min] (MHz)

    :100

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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