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PBSS3515MB分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
PBSS3515MB |
| 参数属性 | PBSS3515MB 封装/外壳为3-XFDFN；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP 15V 0.5A DFN1006B-3 |
| 功能描述 | 15 V, 0.5 A PNP low VCEsat (BISS) transistor |
| 丝印标识 | |
| 封装外壳 | SOT883B / 3-XFDFN |
| 文件大小 |
1.09867 Mbytes |
| 页面数量 |
12 页 |
| 生产厂商 | Nexperia B.V. All rights reserved |
| 企业简称 |
NEXPERIA【安世】 |
| 中文名称 | 安世半导体(中国)有限公司官网 |
| 原厂标识 | NEXPERIA |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-5 18:32:00 |
| 人工找货 | PBSS3515MB价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
产品属性
- 产品编号：
PBSS3515MB,315
- 制造商：
Nexperia USA Inc.
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
25mV @ 500µA，10mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
200 @ 10mA，2V
- 频率 - 跃迁：
280MHz
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
3-XFDFN
- 供应商器件封装：
DFN1006B-3
- 描述：
TRANS PNP 15V 0.5A DFN1006B-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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