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NVMFS6H836NLT1G	文件：187.04 Kbytes Page：7 Pages	丝印：6H836L；Package：DFN5；MOSFET - Power, Single N-Channel 80 V, 6.2 m, 77 A Features • Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses • Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses • NVMFS6H836NLWF − Wettable Flank Option for Enhanced Optical Inspection • AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • These Devices are Pb−Free and 文件：187.04 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTMFS6H836NLT1G	文件：184.87 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET - Power, Single N-Channel 80 V, 6.2 m, 77 A 文件：184.87 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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更多NVMFS6H836NLT1G供应商更新时间2026-10-21 14:14:00