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NVMFWS1D1N04XM	文件：149.14 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET - Power, Single N-Channel, STD Gate, SO8FL 40 V, 1.05 m, 233 A Features •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowCapacitancetoMinimizeDriverLosses •SmallFootprint(5x6mm)withCompactDesign •AECQ101QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHS Compliant Applications •MotorDrive •B	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVMFWS1D1N04XMT1G	文件：149.14 Kbytes Page：7 Pages	Marking：1D1N4W；Package：DFNW5；MOSFET - Power, Single N-Channel, STD Gate, SO8FL 40 V, 1.05 m, 233 A Features •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowCapacitancetoMinimizeDriverLosses •SmallFootprint(5x6mm)withCompactDesign •AECQ101QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHS Compliant Applications •MotorDrive •B	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTMFS1D1N04XM	文件：131.95 Kbytes Page：6 Pages	MOSFET-Power,SingleN-Channel,STDGate,SO8FL40V,1.05m,233A Features •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowCapacitancetoMinimizeDriverLosses •SmallFootprint(5x6mm)withCompactDesign •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHSCompliant Applications •MotorDrive •BatteryProtection •ORing	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVMTS1D1N04C	文件：321.47 Kbytes Page：8 Pages	MOSFET-Power,SingleN-Channel40V,1.1m,277A Features •SmallFootprint(8x8mm)forCompactDesign •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowQGandCapacitancetoMinimizeDriverLosses •NewPower88Package •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−FreeandareRoHSCompliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVMTS1D1N04CTXG	文件：321.47 Kbytes Page：8 Pages	MOSFET-Power,SingleN-Channel40V,1.1m,277A Features •SmallFootprint(8x8mm)forCompactDesign •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowQGandCapacitancetoMinimizeDriverLosses •NewPower88Package •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−FreeandareRoHSCompliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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