NVMFS6H836NLT1G中文资料安森美半导体数据手册PDF规格书

厂商型号	NVMFS6H836NLT1G
功能描述	MOSFET - Power, Single N-Channel 80 V, 6.2 m, 77 A
丝印标识	6H836L
封装外壳	DFN5
文件大小	187.04 Kbytes
页面数量	7 页
生产厂商	ONSEMI
中文名称	安森美半导体
网址	网址
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更新时间	2025-10-9 18:55:00
人工找货	NVMFS6H836NLT1G价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货

特性 Features

• Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design

• Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses

• Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses

• NVMFS6H836NLWF − Wettable Flank Option for Enhanced Optical Inspection

• AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable

• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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