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NVMFS6H801NT1G中文资料安森美半导体数据手册PDF规格书

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厂商型号

NVMFS6H801NT1G

功能描述

MOSFET ??Power, Single, N-Channel 80 V, 2.8 m, 157 A

丝印标识

6H801N

封装外壳

DFN5

文件大小

210.99 Kbytes

页面数量

7

生产厂商

ONSEMI

中文名称

安森美半导体

网址

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数据手册

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更新时间

2025-12-15 14:15:00

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NVMFS6H801NT1G规格书详情

特性 Features

• Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design

• Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses

• Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses

• NVMFS6H801NWF − Wettable Flank Option for Enhanced Optical Inspection

• AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable

• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON(安森美)
23+
DFN-5
13019
公司只做原装正品,假一赔十
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ON
24+
NA
3000
进口原装 假一罚十 现货
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ON(安森美)
23+
标准封装
8000
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ON(安森美)
26+
NA
60000
只有原装 可配单
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onsemi(安森美)
24+
DFN-5(5
8850
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onsemi
24+
原厂封装
261333
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ON(安森美)
24+
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ON(安森美)
2021/2022+
标准封装
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ON Semiconductor
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ON
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