NVMFS6H818NT1G中文资料安森美半导体数据手册PDF规格书

厂商型号	NVMFS6H818NT1G
功能描述	MOSFET ??Power, Single N-Channel 80 V, 3.7 m, 123 A
丝印标识	6H818N
封装外壳	DFN5
文件大小	187.33 Kbytes
页面数量	7 页
生产厂商	ON Semiconductor
企业简称	ONSEMI【安森美半导体】
中文名称	安森美半导体公司官网
原厂标识	ONSEMI
数据手册	下载地址一下载地址二到原厂下载
更新时间	2025-8-1 18:03:00
人工找货	NVMFS6H818NT1G价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货

特性 Features

• Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design

• Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses

• Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses

• NVMFS6H818NWF − Wettable Flank Option for Enhanced Optical Inspection

• AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable

• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant

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