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NVMFWS003N10MCT1G

MOSFET - Power, Single N-Channel 100 V, 3.1 m, 169 A

Features • Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses • Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses • AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • Wettable Flank Product • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free, Beryllium Free and are RoHS

文件:138.77 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NVP1004MX

NEXTCHIP
QFP208

NVP1140B

NEXTCHIP
QFP128

NVP1918C其他被动元件

NEXTCHIP
QFN

NVP2431H

NEXTCHIP
QFN76

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更多NVMFWS003N10MCT1G供应商 更新时间2025-10-9 9:30:00